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太阳电池工艺文件 单晶硅片清洗工艺 插片： 主要原材料： 合格品单晶硅片 工装、设备 承片盒 清洗花篮 工艺过程（右手操作） 每个承片盒插片25片。插片过程中对硅片进行检验，不合格硅片挑出。然后，每个清洗花篮中放置3×4个插片后的承片盒。 超声清洗： 主要原材料： 油污比较严重的硅片 清洗剂 自来水 2) 工装、设备 超声波清洗机 承片盒 清洗花篮 3) 工艺过程（右手操作） 表面油污比较严重的硅片，需要在2—5%清洗剂40℃的水溶液中，利用超声波震荡清洗15min。清洗功率和超声频率根据使用的设备调整。清洗液可以反复使用。 经过清洗液超声的硅片，转移到清洗槽中，使用大量的自来水冲洗超声后的硅片，直至无清洗液。 八槽清洗机清洗 主要原材料： 清洁的硅片 NaOH 自来水 NaSiO2 异丙醇 去离子水 2) 工装、设备 8槽清洗机 承片盒 清洗花篮 3) 工艺过程（右手操作） 去除损伤层：8槽清洗机中的第一槽，100g/L NaOH 80℃的自来水溶液，腐蚀5min。减薄量约0.5g。 去除腐蚀液：8槽清洗机中的第二槽，使用大量的自来水冲洗腐蚀后的硅片，直至无碱液。约2min。 腐蚀绒面：8槽清洗机中的第三、四、五和六槽，11g/L NaOH+7.5g/L NaSiO2+55g/L异丙醇的去离子水溶液，80℃，腐蚀25—35min，腐蚀槽保持盖严防止异丙醇散发。 去除腐蚀液（一）：8槽清洗机中的第七槽，流动去离子水清洗，去除碱腐蚀液。5min。 去除腐蚀液（二）：8槽清洗机中的第八槽，流动去离子水清洗，去除碱腐蚀液。5min。 六槽清洗机清洗 主要原材料： 清洗的硅片 HF HN4F HCl 去离子水 2) 工装、设备 6槽清洗机 承片盒 清洗花篮 3) 工艺过程（右手操作） 去除表面氧化层：6槽清洗机中的第一槽，40g/L HF加 5g/L HN4F去离子水溶液， 5min，注意避光操作。 去除HF酸：6槽清洗机中的第二槽，流动去离子水清洗，3min。 酸洗，去除重金属离子（一）：6槽清洗机中的第三槽，100g/L HCl去离子水溶液，5min。 酸洗，去除重金属离子（二）：6槽清洗机中的第四槽，30g/L HCl去离子水溶液，5min。 去除酸溶液：6槽清洗机中的第五槽，流动去离子水清洗，3min。 喷淋：6槽清洗机中的第六槽，去离子水喷淋8min。 甩干： 主要原材料： 清洗的硅片 2) 工装、设备 甩干机 承片盒 3) 工艺过程（右手操作） 将承片盒装入甩干机的卡槽内，依据甩干机的操作说明甩干硅片。 将甩干后的硅片，连同承片盒一起送入密闭扩散间的转移窗口，等待扩散。 绒面的检验： 主要原材料： 甩干的硅片 2) 工装、设备 显微镜 3) 工艺过程（右手操作） 目视硅片表面呈均匀的灰黑色，没有明显的斑点。显微镜下，金字塔形貌均匀，金字塔的高度约为3—5μm。  8槽清洗机的工艺条件 槽位 1 2 3 4 5 6 7 8 时间 5 min 2 min 40 min 5 min 5 min 溶液 100g/L NaOH 80℃的自来水溶液 大量的自来水 11g/L NaOH+7.5g/L NaSiO2+55g/L异丙醇的去离子水溶液,80℃ 去离子水清洗 去离子水清洗 目的 去除损伤层 去除腐蚀液 腐蚀绒面 去除腐蚀液 去除腐蚀液 6槽清洗机的工艺条件 槽位 1 2 3 4 5 6 时间 5 min 2 min 5 min 5 min 3 min 8 min 溶液 40g/L HF+5 g/L HN4F去离子水溶液 流动去离子水清洗 100g/L HCl去离子水溶液 30g/L HCl去离子水溶液 去离子水清洗 去离子水喷淋清洗 目的 去除表面氧化层，避光 去除腐蚀液 去除重金属离子 去除重金属离子 去除腐蚀液 精洗 说明：每12小时更换一次腐蚀液。具体操作过程由现场工艺人员处理。 多晶硅片清洗工艺 插片： 主要原材料： 合格品多晶硅片 2) 工装、设备 承片盒 清洗花篮 3) 工艺过程（右手操作） 每个承片盒插片25片。插片过程中对硅片进行检验，不合格硅片挑出。然后，每个清洗花篮中放置3×4个插片后的承片盒。 超声清洗： 主要原材料： 油污比较严重的硅片 清洗剂 自来水 2) 工装、设备 超声清洗机 承片盒 清洗花篮 3) 工艺过程（右手操作） 表面油污比较严重的硅片，放置在超声清洗机的超声槽中，需要在2—5%清洗剂60℃的水溶液中，利用超声波震荡清洗15min。清洗功率和超声频率根据使用的设备调整。清洗液可以反复使用。 经过清洗液超声的硅片，转移到清洗槽中，使用大量的自来水冲洗超声后的硅片，直至无清洗液。 八槽清洗机清洗去 主要原材料： 清洗的硅片 NaOH