第四章_纳米结构单元.ppt

* 一维纳米线的制备方法 气相法 气相－液相－固相（VLS）生长法 气相－固相（VS）生长法 液相法 溶液－液相－固相法（SLS） 基于辅助剂的液相法 溶剂热合成法 模板法 硬模板法 软模板法 其它方法 与前述纳米管的制备方法有一定重叠 * 气相－液相－固相（VLS）生长法 反应原理：以液态金属团簇催化剂作为气相反应物的活性点，将所要制备的一维纳米材料的材料源加热形成蒸气，待蒸气扩散到液态金属团簇催化剂表面，形成过饱和团簇后，在催化剂表面生长形成一维纳米结构。 可以在平衡条件下控制金属催化剂液滴的大小，但是所得到的液态金属团簇的直径一般均大于几十个纳米，因此所制备的纳米线直径一般都比较大。 制备各种无机材料的纳米线，包括元素半导体(Si，Ge)，Ⅲ－Ⅴ族半导体( GaN，GaAs，GaP，InP，InAs，Ⅱ－Ⅳ族半导体(ZnS，ZnSe，CdS，CdSe)以及氧化物(ZnO，Ga2O3，SiO2)等 。 根据蒸气来源不同可分成：激光烧蚀法、化学气相沉积（CVD）、金属有机化合物气相外延法、化学气相传输法等。 * 气相－固相（VS）生长法 反应原理：将一种或几种反应物，在高温区通过加热形成蒸气，然后用惰性气流运送到反应器低温区或者通过快速降温使蒸气沉积下来，生长成为一维纳米结构材料的制备方法。 固体粉末物理