双氧水浓度对硅纳米线生长的影响.pdf.pdfVIP

第 15卷 第 2期 上 海 电 机 学 院 学 报 Vo1．15No．2 2012焦 JOURNAIOFSHANGHAIDIANJIUNIVERSITY 2O12 文章编号 2095—0020(2012)02—0123—05 双氧水浓度对硅纳米线生长的影响 林星星 ， 沈文忠。 (1．上海 电机学院 数理教学部，上海 200240； 2．上海交通大学 太阳能研究所 ，上海 200240) 摘 要 ：利用两步法金属辅助化学刻蚀 (MACE)法制备硅纳米线 (SiNWs)样品。研 究 了双氧 水(HzOz)浓度对 SiNWs样品形貌、生长速率以及发光特性 的影响。发现随着 H O 浓度 的增加 ， SiNWs样品生长速率随之提高，同时出现 了位 于 685nm 附近较宽的来源于多孔硅结构的光致发光 峰。实验结果表明，多孔硅结构的形成与银离子 (Ag )通过扩散作用在 SiNWs样品侧壁重新沉积 有关。