rf磁控溅射及smcd法制备铁电薄膜的研究.pdf

中文摘要 铁电薄膜由于具有压电、热释电、铁电效应，在制备工艺上还可以逐渐做到 与半导体平面工艺兼容，目前已成为国际上新型功能材料研究的热点之一。本文 首先制备出溅射所需的PZT和BST陶瓷靶材，然后使用直流对靶磁控溅射法在 件对PZT和BST薄膜的影响，发现通氧气不利于PZT薄膜中钙钛矿相的生成， 但有利于BST薄膜钙钛矿相的生成。探索了不同退火条件对PZT薄膜的影响，。 发现退火温度低于700C时易于得到烧绿石结构而不利于钙钛矿相的生成。对影 响PZT薄膜性能的五个因素：工作气压、基片温度、氧／ 氩+氧 之比、溅射功率、 退火温度分别在其允许范围和精度内设置五个水平。根据均匀设计理论对该五因 素五水平进行均匀设计。应用射频磁控溅射在Pt／Ti／Si02／Si上制备了PZT薄膜， 测定了PZT薄膜的厚度、表面形貌及电学性能。最后对这些响应结果进行了二 次线性回归，得出回归方程。并对每个回归方程中最显著的两项因素做出了三维 模拟响应面分析。探讨了达到最优化薄膜特性所需要的工艺条件。使用原子力显 微技术分析了不同溅射过程参数对PZT薄膜样品的平均晶粒尺寸，均方根粗糙 度和算术平均面粗糙度的影响。实验结果表明基片温度对PZT薄膜的表面形貌 影响不大，提高溅射的工作气压和溅射功率能增大薄膜的薄膜晶粒尺寸，增大靶 基距能减小薄膜的晶粒尺寸。提高溅射的工作气压和