太赫兹SiSiGe量子级联激光器能带设计.pdfVIP

第 27 卷 　第 5 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 5 2006 年 5 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS May ,2006 太赫兹 Si/ Si Ge 量子级联激光器的能带设计 1 , 1 1 1 1 ,2 林桂江 　赖虹凯 　李 　成 　陈松岩 　余金中 ( 1 厦门大学物理系 , 厦门大学半导体光子学研究中心 , 厦门　36 1005) (2 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室 , 北京 　100083) 摘要 : 使用 next nano3 模拟软件计算 Si/ Si Ge / Si 量子阱的能带结构 ,对 Si/ Si Ge 量子级联激光器有源区的能带 1 - x x 结构进行设计 ,结果表明使用 Ge 组分为 027～03 ,量子阱宽度为 3nm 的 Si Ge 合金与垒宽为 3nm 的 Si 层构成对 称应变级联异质结构 ,有利于优化 T Hz Si/ Si Ge 量子级联激光器结构. 关键词 : Si/ Si Ge ; 量子级联激光器 ; 子带阱间跃迁 ; next nano3 PACC : 7360 F ; 4255 ; 7320D 中图分类号 : TN 304 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 0509 1605 检测等[ 5 ] . 1 　引言 2 　Si/ Si Ge/ Si 量子阱的能带计算 ( 量子 级 联 激 光 器 quant um ca scade la ser , Q CL ) 最早于 1994 年由美国Bell 实验室的 Fai st 等 Si Ge 固溶体是由硅和锗形成的溶解度无限的 ( ) [ 1 ] 替位固溶体 ,又称 Si Ge 合金 ,可以通过改变 Ge 的 人在 Ⅲ Ⅴ族材料 Ga InA s/ Al InA s 中实现 . 它是 在有外加电场条件下单靠一种载流子的多次子带间 组分及膜应变的方法来调整材料的禁带宽度 , 同 Si 跃迁发光而实现的. 由于受到天然 Si 材料间接带能 和 Ge 一样 ,Si1 - x Gex 合金也是间接带隙半导体 , 当 带结构的限制 , Si 材料的发光效率极低 ,更谈不上 Ge 组分 x 小于 085 时 , Si1 - x Gex 合金材料的能带 实现受激光发射. Si Ge 半导体材料是近年来人们所 为类 Si 结构 ,导带极小值位于 X 附近的 Δ带谷 ,考 寻找的适宜与 Si 构成异质结器件的一种新型材料 , 虑到 Ge 的引入会在 Si/ Si Ge 界面产生应变 ,应变