自加热效应下AlGaInN电子阻挡层对LED性能的影响.pdfVIP

2014 年 第 59 卷 第 16 期： 1564 ~ 1572 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 自加热效应下AlGaInN 电子阻挡层对LED 性能的影响 ① ②* ②* 王天虎 , 徐进良 , 王晓东 ① 华北电力大学能源的安全与清洁利用北京市重点实验室, 北京 102206; ② 华北电力大学低品位能源多相流与传热北京市重点实验室, 北京 102206 * 联系人, E-mail: xjl@; wangxd99@ 2013-06-26 收稿, 2013-07-24 接受, 2014-04-01 网络版发表 国家自然科学基金(U1034004,和中央高校基本科研业务费专项资金(12QX14)资助 摘要 在自加热效应下, 对有、无AlGaInN 电子阻挡层的两种发光二极管芯片进行了数值研究. 关键词 系统分析了芯片能带结构, 载流子输运与分布特性, 内部焦耳热和复合热特性, 内量子效率衰落 发光二极管 的物理机制, 并讨论了不同俄偈复合系数在自加热效应下对效率衰落效应的影响. 模拟结果表 效率衰落 明: 当在p-GaN 层与活性层间插入AlGaInN 电子阻挡层后, 效率衰落效应得到显著改善, 芯片结 自加热 电子阻挡层 温明显升高. 俄偈复合热不是内热源的主要贡献, 可忽略不计. 效率衰落效应受芯片结温影响不 俄偈复合 大, 电子漏电流与俄偈复合是效率衰落的主要原因. 基于有机及氮化物的发光二极管(LED), 由于在 效阻止电子漏电流, 与没有EBL 的LED 相比, 具有p [27,29,42] 医学诊断、光存储、全彩色显示、固体照明等领域具 型 AlGaN EBL 的LED 拥有更好的发光性能 . 有广泛的应用前景而备受关注[1~10]. 然而, 在大电流 然而 Ryu 等人[43]指出, 无 EBL 的LED 比有EBL 的 条件下( 电流高于几个毫安培)会呈现效率衰落效应, LED 具有更高的内量子效率. Yen 等人[28] 的研究中, 即随着注入电流的增加内量子效率(IQE) 显著降 将传统的p 型AlGaN EBL 移除, 并在n 型GaN 层和 低[11~13], 严重阻碍了 LED 在大功率、高亮度领域的 活性区之间插入 n 型 AlGaN 层, 可使漏电流减小且 应用. 为改善效率衰落效应, 研究者提出了各种各样 活性区中的载流子分布更加均匀, 效率衰落效应得 的芯片结构设计, 包括优化活性区中多量子阱 到很大程度改善. Han 等人[27]系统研究了InGaN/GaN (MQW) 的结构[5,14~19], 设计不同类型的量子阱势 LED 中EBL 对效率衰落效应的影响, 在大电流条件 垒[20~26], 优化电子阻挡层(EBL) 的结构[13,27~32], 优化 下, 去除 EBL 可以增强空穴的注入率, 效率衰落效 活性区中最后一个势垒的结构[33~37], 减小内部极化 应得到有效抑制.