GaN基LED的关键技术的分析研究.pdfVIP

摘要 摘 要 GaN基LED作为一种新型的固态光源，具有低功耗，长寿命，高发光效率等 优点，在显示、照明、指示方面发挥着越来越大的作用。尽管GaN基LED具有许 多性能上的优点，但是仍然有许多的问题有待解决，例如p-GaN材料的激活，P 型透明电极的制备以及器件可靠性的相关研究。本文研究了GaN基LED制备过程 中的关键工艺，器件电学特性的退化以及影响器件发光特性的内在机制，为制备 高亮度GaN基蓝光LED铺平了道路。主要的研究工作和成果如下： 1．充分考虑H在GaN材料中可能发生的反应，并对其中的可逆反应进行了深 入的讨论。结合p-GaN中H通过补偿受主杂质从而影响P型掺杂浓度的作用机制， 对n．GaN材料中H的作用机制进行完善和扩展。 2．研究了在空气和氮气中p-GaN材料的退火实验，实验表明，在氮气中退火 后，P．GaN材料中大量的H还会留在体内，只是在退火后会形成某种含H稳定物， 而这种含H稳定物在受到外界热应力的作用下分解，从而使Mg—H络合物重新生 成，导致p-GaN材料的微分电阻的增大。而在空气中退火后，大部分的H从材料 体内析出，导致材料内的H含量显著的减少，所以能够形成的含H稳定物也就更