溶胶凝胶法制备ZnO基薄膜及离子注入的研究.pdf

摘要 摘要 在短波长发光二极管、激光器、探测器和太阳能电池等方面展现出诱人的应用前 景。要使ZnO在光电器件领域获得广泛应用，关键的问题是制备出性能稳定优良 的P型ZnO。在P型ZnO的掺杂中，N被认为是最好的受主掺杂物。但是，N在 ZnO中的固溶度比较低，而且形成的受主能级也比较深，因此难以实现有效的掺 杂。III．V族和II．V族共掺杂理论就是为解决这些问题而提出的，并且III—V族共 掺杂理论已在ZnO的P型掺杂方面取得了可喜的研究成果。 基于如上共掺杂的理论，本文尝试采用溶胶凝胶方法先制备出ZnO：A1和 ZnO：Mg薄膜，使脚和Mg均匀掺杂在ZnO中，然后采用半导体技术中广泛采用 的离子注入技术将高剂量N受主杂质掺杂到ZnO：A1和ZnO：Mg中，从而实现共掺 杂的目的。基于这个研究构思，做了如下主要研究： 1．详细研究了灿掺杂浓度和退火温度对ZnO薄膜结构、光学和电学性质的 衍射峰强度和近紫外激子发光(NBE)强度不断增强，与缺陷相关的发光(DLE) 高，ZnO：A1薄膜的吸收系数、折射率等不断减小。随着退火温度的提高(600．950 ℃)，ZnO：A1薄膜可见光区的折射率、吸收系数等逐渐增大，在紫外区却随着退火 温度的提高而减小。另外也发现，在750℃以下退火时，ZnO：A1薄膜吸收边会随 着退火温度的提高发生蓝移；在750C以上退火时，薄膜吸收边随着退火温度的提 高发生红移。ZnO：A1薄膜的光吸收在可见光区随着退火温度的提高逐渐增大，在 紫外区随着退火温度的提高而减小。ZnO：A1薄膜的紫外峰强度随着退火温度的提 高逐渐增强，而缺陷峰强度逐渐减弱。 2．详细研究了Zn和Ge离子注入及退火温度对ZnO薄膜结构、光吸收和光 致发光的影响。研究结果显示，Zn、Ge离子注入后，ZnO薄膜的衍射峰强度和荧 光强度都显著降低，而可见光区的光吸收显著增强。退火温度对离子注入后的ZnO 薄膜的结构和光学性质有显著影响，随着退火温度的提高，薄膜的结构和光学性 质得到恢复。Zn离子注入后的退火结果显示，ZnO薄膜的结构在700℃退火后基 摘要 本恢复到了离子注入前的状态，光致发光强度在600℃退火后基本恢复。Ge离子 注入后的退火结果显示，ZnO薄膜的结构在600。C退火后基本恢复到离子注入前的 状态，光致发光强度在800。C退火后基本恢复到离子注入前的状态。 和电学性质的影响。在共掺杂制备P型ZnO中，Al的掺杂含量对P型的转变很重 要。实验结果证实，只有A1／Zn=1％的样品出现了明显的P型转变，样品在600℃ 结构和发光特性基本恢复到离子注入前的状态。N离子注入ZnO：Mg薄膜的实验 结果显示，N离子注入后的ZnO：Mg薄膜在随后的退火温度过程中存在着显著的 分解和蒸发行为。四探针测试结果显示，ZnO：Mg薄膜在N离子注入和随后的退 火过程中一直呈高阻状态。 关键词：ZnO，离子注入，共掺杂 Ⅱ ABSTRACT ABSTRACT witha of Zinc IpVIsemiconductor oxide(ZnO)，animportant varietygood chemical withconventionalwide and compared bandgap physical properties suchas and suitablefor like semiconductors GaN，ZnSeSiC，is manyapplications solarcells．Themainob