材料现代研究方法(扫描电镜).ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 表面凹凸与二次电子的产生 表面凹凸与二次电子的产生 热障涂层断面扫描电镜照片 1．形貌衬度 △ 倾角因素： 背散射电子产额 η=Ib/Ip η随倾角θ增加而增加 △ 方向因素： 2. 晶向衬度 (二)背散射电子像 3．成分衬度 背散射电子产额与原子序数关系: 当Ep = 20keV以下，则 η= -0.0254 + 0.016Z -1.86×10－4Z2+8.3×10－7Z3 当Z1、Z2原子序数相邻，则衬度很低 当Z1、Z2原子序数相差远，则衬度很高 设有两平坦相邻区域，分别由Z1 和Z2 纯元素组成， 且 Z2 Z1 则衬度 S 为检测信号强度 C = = ? 为背散射电子强度 2 1 2 S S S - 2 1 2 h h h - (二)背散射电子像 NiAl-Cr(Mo)背散射电子像 TiAl样品的动态拉伸试验 扫描电镜/能谱分析(SEM/EDS） 液体氮 ＦＥＴ Ｓｉ（Ｌｉ）检测器 窗口 平行光管 电子束 样品 EDX原理图 Ｘ射线 锂漂移硅Si(Li)检测器 当X射线光子进入检测器后，在Si(Li)晶体内激发出一定数目的电子－空穴对。 产生一个空穴对的最低平均能量ε是一定的，因此由一个X射线光子造成的电子－空穴对的数目为N， 入射X射线光子的能量越高，N就越大。 脉冲 整形器 液体氮 前置放大器 主放大器 多道分析器 ＦＥＴ Ｓｉ（Ｌｉ）检测器 窗口 平行光管 电子束 样品 EDX原理图 Ｘ射线 ＥＤＸ分析 Ｃ Ｏ Ｚｎ Ａｌ Ｓｉ Ｓ Ｋ Ｃａ Ｔｉ Ｆｅ Ｃｕ 化妆品粉末 Ｔｉ Ｆｅ Ｚｎ 化妆品粉末 Element Intensity Weight% AT% K-Value Z A F C 1.133 19.723 35.480 0.01100 0.95060 11.7174 1.00000 O 0.355 2.647 3.575 0.00454 0.96658 3.74882 1.00000 Mg 0.424 0.450 0.400 0.00255 1.00680 1.13331 0.96094 Al 34.767 37.156 29.754 0.21355 1.03825 1.05859 0.98364 Si 26.207 40.024 30.791 0.17323 1.00978 1.42168 1.00000 Total 100.000 100.000 0.40487 Element Intensity Weight% AT% K-Value Z A F C 2.712 23.209 42.340 0.02685 0.94567 8.90120 1.00000 O 0.480 2.096 2.871 0.00615 0.96099 3.45397 1.00000 Al 53.687 41.112 33.387 0.32976 1.03079 1.18676 0.99238 Si 20.081 21.257 16.585 0.13274 1.00224 1.55662 0.99953 Fe 1.527 11.297 4.433 0.06892 1.07046 1.49102 1.00000 Ni 0.091 1.029 0.384 0.00856 1.16191 1.00722 1.00000 Total 100.000 100.000 0.57298 定　量　分　析 金属断面 ① ② 波谱分析WDX原理图 入射电子 样品