二极管及其典型应用解读.ppt

? 当加反向电压时： ? 当加正向电压时： (UUT) 四、PN结的反向击穿 反向击穿： PN结上所加的反向电压达到某一数值时，反向电流激增的现象。 雪崩击穿 当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离。形成连锁反应，象雪崩一样。使反向电流激增。 齐纳击穿 当反向电压较大时，强电场直接从共价键中将电子拉出来，形成大量载流子,使反向电流激增。 击穿是可逆。掺杂浓度 小的二极管容易发生。 击穿是可逆。掺杂浓度 大的二极管容易发生。 不可逆击穿 — 热击穿。 PN结的电流或电压较大，使PN结耗散功率超过极限值，使结温升高，导致PN结过热而烧毁。 五、PN结电容 ?势垒电容CB 当外加电压不同时，耗尽层的电荷量随外加电压的变化而增多或减少，与电容的充放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容为势垒电容。 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。 注意：势垒电容和扩散电容均是非线性电容,并同时存在。外加电压变化缓慢时可以忽略，但是变化较快时不容忽略。 ?扩散电容CD 在外加电压变化的情况下，P、N区少子浓度的分布将发生变化，扩散区内电荷的积累与释放过程与电容充放电过程相同，这种电容等效为扩散电容。 六、PN结的光电效应与电致发光 ? PN结的光电效应 PN结用导线连接成回路时，载流子面临PN结势垒的阻挡，在回路中不产生电流。当有光照射PN结材料上时，若光子能量大于半导体的禁带宽度，则在PN结的耗尽区、P区、N区内产生光生的电子-空穴对，耗尽区内的载流子在内建场的作用下电子迅速移向N区，孔穴移向P区，在回路内容形成光电流，而P、N区内产生的光子无内建电场的作用只进行自由的扩散运动，对光电流基本没有贡献。 D ED D RL UD IP 注意：为了充分利用在PN结各区内产生的光生载流子，PN结需加适当的反向偏压。 ? PN结的电致发光 如果在PN结加正偏电压U，外电场将消弱内建电场对载流子扩散的阻挡作用。在外加电场满足一定条件下，注入到耗尽区内的电子和空穴通过辐射复合而产生光子的速率将大于材料对光子的吸收速率，从而在半导体内产生光增益。 U D 一、二极管的结构类型 二、二极管的特性曲线 三、二极管的等效电路 四、稳压二极管 五、变容二极管 六、肖特基二极管 七、光电二极管 八、发光二极管 九、二极管的典型应用 2.3 二极管 一、二极管的结构类型 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 二极管按结构分 点接触型 面接触型 平面型 PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路 PN结面积大，用 于工频大电流整流电路 往往用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小， 用于高频整流和开关电路中。 P N 伏安特性：是指二极管两端电压和流过二极管电流之间的关系。 由PN结电流方程求出理想的伏安特性曲线， PN结电流方程为： 二、二极管的特性曲线 ? 晶体二极管的伏安特性 1.正向起始部分存在一个死区或门坎，称为门限电压。 硅：Ur=0.5-0.6V 锗：Ur=0.1-0.2V 2.加反向电压时，反向电流很小。 即Is硅(nA)Is锗(?A) 硅管比锗管稳定。 3.当反压增大再增加，反向电流激增，发生反向击穿，UBR称为反向击穿电压。 实测伏安特性 ① ② ③ ? 晶体二极管的温度特性 温度升高： （1）门限电压减小。 （2）反向击穿电压减小。 （1）最大整流（正向）电流； （2）最高UBR； （3）反向电流； （4）最高工作频率。 二极管主要参数 三、二极管的等效电路 理想模型 正向偏置电压大于0，二极管处于导通状态，压降为零。 当反向偏置时，二极管处于截止状态，电流为0。 理想模型特性曲线 理想模型符号 1. 二极管模型 理想折线化模型 （1）当正向偏置电压等于开启电压Uon时，二极管处于导通状态，压降即为Uon。 （2）当二极管正偏但是小于开启电压时，或二极管反偏时，二极管处于截止状态，电流为0。 考虑二极管正向压降时二极管的等效电路及其特性 折线化模型 （1）当正向偏置电压等于开启电压Uon时，二极管处于导通状态，压降即为Uon和电阻rD上的压降之和。 （2）当二极管正偏但是小于开启电压时，或二极管反偏时，二极管处于截止状态，电流为0。 考虑二极管正向压降和二极管电阻时二极管的等效电路及其特性 非线性电阻 直流电阻R (也称静态电阻） 交流电阻r （又称动态电阻或微