薄膜生长过程精要.ppt

薄膜生长过程张辉 * 1，真空度对薄膜生长的影响： （JX为沿X方向的入射粒子流通量。） J=nv 2，表面能（表面张力ε与表面能γ的关系）： 产生新的表面，需要破坏一定数量的化学键。因此是吸热过程，体系能量上升。所以表面能符号应为“+”！ （d γ/dT0），一般温度下可以认为 二者近似相等。 总表面能 2，表面能（表面能与薄膜生长模式） 三者之间服从： 1)，当θ=0°时，为层状生长； 2)，当θ90°时，为岛状生长； 为薄膜的两种基本生长模式。 A B 3，薄膜中的晶体缺陷： 其中（c）服从所谓的Vegard′s law： (b)称为肖特基缺陷；(a)称为弗兰克尔缺陷。 3，薄膜中的晶体缺陷： 刃位错 螺位错 层错与分位错有关，小角（大角）晶界与刃位错有关。 ? 4，位错（应力）与其生长机制间的关系： 位错的来源：1，从衬底复制来；2，薄膜中应力弛豫的结果。 （应力的来源：1，衬底与薄膜之间的晶格失配；2，热应力。） 如果是后者，那么其将对薄膜生长模式有影响。 (a)张应力 (a)压应力 ◆A，小应力下的薄膜层状生长模式，应力弛豫将产生位错（刃位错）。 *实际上，衬底在靠近薄膜的区域也必然会发生畸变。 4，位错与其生长机制间的关系： dead layer? ◆B，大应力下的薄膜层状生长模式，应力弛豫将产生层+岛状生长 *位错产生的判据：晶格失配应变能≥刃位错位错能 产生位错的临界厚度dc即由上式确定。 上图为Si中的一个Frank－Read位错（U型扫移位错）。当扫移位错运动360度时，便向外发射出一个闭合的位错环；同时，已经发射出的位错环不断扩张长大。相邻两个位错环间在垂直方向始终相差一个伯格斯矢量（即一个原子的距离）而无法被同样大小的原子所填平。这是薄膜（或晶体）生长的重要驱动力之一。（《固体物理导论》－Kittel, p412.） 4，位错与薄膜生长间的关系： a，Frank-Read位错与薄膜生长间的关系——低饱和蒸气压下薄膜生长 4，位错与薄膜生长间的关系： b，螺位错与薄膜生长间的关系——低饱和蒸气压下薄膜生长 （在表面露头的单个螺位错的发展。《固体物理导论》－Kittel, p415.） 5，位错与薄膜生长间的关系： (a)由于台阶边缘形成边缘势垒(即，Schwoebel势垒)，薄膜形成“梯田状”生长 (b)使用表面剂后薄膜呈现“岛状”生长（因为表面扩散势垒增加） ——引自《薄膜生长》（吴自勤、王兵 著），p229. 5，位错与薄膜生长间的关系： 异质外延时的小角晶界织构 ——引自《材料科学基础》（潘金生、仝健民、田民波 著），p301、p303、p304 6，入射粒子颗粒尺寸对薄膜生长模式的影响： 衬底 膜 (a)入射粒子尺寸很大 (b)入射粒子尺寸很小 岛状生长模式 层状生长模式 6，入射粒子通量对薄膜生长模式的影响： 膜 衬底 (a)入射粒子通量很大 (b)入射粒子通量很小 岛状生长模式 层状生长模式 7，薄膜中的扩散： 菲克定律 ? ? 7，薄膜中的扩散：扩散机制 A，体扩散（自扩散）： 原子与空穴交换 间隙原子的扩散 B，晶界扩散（短路扩散）： 晶界扩散 沿位错芯的扩散 C，反应扩散 D，表面扩散（依赖于扩散方向） ? 慢过程 ?快过程 ?快过程 ?快过程 8，薄膜生长动力学： (J=2, 3, 4, …) n1: 含一个原子的晶核密度；R：沉积速率；τa：沉积原子寿命；U1：含1个原子的晶核俘获一个原子的概率；Uj：含j个原子的晶核俘获一个原子成为j+1原子晶核使n1减少的概率。 衬底 蒸发 迁移 稳 定 成核 9，薄膜生长热力学：曲率与压强差 (P′，T) r (P，T) 9，薄膜生长热力学：过饱和蒸气压 ↓ ↓ 演化 晶核 (a) 饱和蒸气压 (b) 过饱和蒸气压 9，薄膜生长热力学：晶核的分类 ↓ ↓ （a）亚稳态rrc （b）临界态r=rc （c）稳态rrc 演化 ↓ 9，薄膜生长热力学：大鱼吃小鱼(岛的合并) 大“鱼”(岛)吃小“鱼”(岛)的原因是：小岛具有更大的内压强。即小岛的化学势高于大岛的。是小鱼自己往大鱼嘴里钻。 10，薄膜生长：衬底温度与薄膜生长模式 衬底温度 物理堆积 （高度无序） 非晶态 多晶态 择优取向 织构生长 层状生长 或台阶流动生长 生长模式 *前提：1，薄膜能浸润衬底；2，入射粒子尺寸要足够小。 (准外延) *