模拟电子技术第1章第3节要点详解.pptVIP

第三节 双极型三极管 三极管由三个导电区和两个PN结所构成的半导体器件,由于 输入端和输出端都是由两个电极构成称之为双极型三极管。 双极型三极管又称为晶体管、半导体三极管或简称为三极管。 本节的学习任务： 1. 掌握三极管内部结构特征 2. 掌握三极管放大原理和放大条件 3. 了解三极管的输入\输出特性 4. 熟悉三极管的主要参数含义和应用 5. 掌握三极管工作在不同区域时的输出电量特征 三极管外形及命名方式 三极管命名是由4个部分组成 第1部分：数字表示器件的电极数目 第2部分:字母表示器件材料和组合特征 A:PNP型锗管 B:NPN型锗管 C:PNP型硅管 D:NPN型硅管 第3部分：字母表示器件的类别 X:低频小功率管； G:高频小功率管； D:低频大功率管； A:高频大功率管； T:晶体闸流管 第4部分：数字产品的序号 3AX81： PNP型锗管，低频小功率管； 3DG4： NPN型硅管，高频小功率管； 3AD10：PNP型锗管，低频大功率。 1.3.1 三极管的组成 一、结构 e与b间PN结称为发射结 c与b之间PN结称为集电结 二、组成 硅平面管---大功率管 锗合金管---小功率管 导电区域的特征 基 区: 很薄并杂质浓度很低 发射区: 掺杂浓度很高 集电区: 集电结面积很大 1.3.2三极管内载流子的运动和放大作用 一、三极管外部电压与工作状态 1. UbUe和UbUc 发射结和集电结为正向导通,三极管内部等效为两个正向导的二极管 Ibe和Ibc仅与Ube、Ubc有关,三个导电区之间没有直接的关联。 三极管为饱和的状态 2. Ub＜Ue和Ub＜Uc 集电结与发射结均为截止状态. 三极管成了两个背靠背截止二极管 Ibe≈0，Ibc≈0 1. UbUe和UbUc 三极管为饱和的状态 2. Ub＜Ue和Ub＜Uc 三极管截止状态 3.UbUe,Ub＜Uc 发射结为正向导通，集电结为反向截止。 三极管内部形成了载流子的通路，从而使得三极管三个导电区成为一个有机的整体。 基区与发射区的多子扩散相遇而复合，基极电量提供复合掉的载流子数目以保持基区的电中性，形成基极复合电流Ib。 IC Ib三极管的输出电流大于输入电流具有放大作用。 发射结正偏置：多数载流子扩散运动 基区： 空穴与电子复合和多数载流子继续的扩散 集电结反偏置：对基区中非平衡载流子运动有加速作用使之快速越过集电结而形成载流子运动的通路 三极管的三个导电区特殊处理的目的 发射区杂质浓度高 ——产生很大的扩散载流子流 基区薄并浓度低 ——形成载流子继续扩散和复合的比例 集电结面积大 ——扩散载流子继续并加速的运动 讨论教材36页题1-13：(a),(b),(e),(f) 各电极的电流状况 电集极电流IC： IC=ICN+ICBO ∴IC≈ICN 基极电流 IB=IEP+IBN-ICBO ∴IB≈IBN 发射极电流： IE=IEN+IEP ∴IE ≈ IEN 三极管内部电流的关系 IE = IC + IB IE ＞IC ＞IB 1.3.3 三极管的特性曲线 三极管的特性曲线包括输入特性 和输出特性曲线。 输入特性曲线描述三极管输入 端的电压VBB与电流IB的关系 输出特性描述了三极管输出端 的电压UcE与电流Ic的关系。 IB = (VBB-UD)/Rb Ic = βIB UcE = Vcc-IcRc 一、输入特性曲线 iB=f(UBE)|UCE=常数 UCE=0 时 UCE＞1V 时 三极管的集电结反偏，扩散的电 子有吸引作用，基区中只有一 小部分载流子复合形成IB，绝大 部分到达集电区形成IC。在相同IB 的条件下，需要更大UBE值，iB特 性曲线向右移。 IB∝UBE 硅管：UBE=0.6V～0.8V 锗管