第八章氮化物基质白光LED用发光材料摘要.pptVIP

半导体照明技术 §8 氮化物基质白光LED用发光材料研究进展 问题的提出 硅氮化物简介 硅氮氧化物基质发光材料 SiAlON基质发光材料 纯硅氮化物基质发光材料 氮化物基质白光LED用发光材料研究进展 8.1 问题的引入 LED芯片＋发光材料＝白光源 优点：发光效率高、电路设计和控制简便、成本低、易于实现产业化。 对发光材料的要求：主要指无机材料，必须能够强烈吸收紫外－蓝光，并在红、绿或蓝光谱部分有高效发射。另外，化学性质稳定、在制备和使用过程中对环境无害且不分解。 目前存在的问题：荧光灯用发光材料对紫外－蓝光吸收较少，不能直接应用于白光LED照明，而寻找合适的白光LED用发光材料很难。除YAG:Ce外，极少对环境无毒又稳定的发光材料 YAG:Ce体系的特点 量子效率高，接近100％，但光谱中缺少橙红光成分，显色性能不是太好。 碱土硅酸盐基质材料的特点 优点： 1. 物理化学性质稳定，耐紫外光子长期轰击,抗潮，不与半导体芯片及封装材 料起反应 2.光转换效率高，结晶体透光性好 3.激发光谱范围较YAG宽，可应用于紫外－蓝光芯片 4. 组分可灵活调整，更适合作2pc-LED,3pc-LED用发光材料，通过额外红发 光材料弥补YAG体系缺少橙红光的不足，改善显色性能。 缺点： 目前的量子效率只有60－70％。 需要开发一种高效、高稳定性和无环境污染的新发光材料，特别需要改善发光材料的红光发射特性，所以我们研究氮化物基质白光LED用发光材料 常规的氧化物发光材料的激发波长位于紫外区，掺氮后的晶体共价性明显增强，使激发带红移至可见光区，从而使光致发光性能增加。含有B、Al或Si的氮化物和氮氧化物在紫外－蓝区有强的吸收，正好与近紫外和蓝光LED的发射波长相匹配，它们是制备白光LED合适的基质材料 8.2 硅氮化物简介 氮化物一般表示为MxNy (M=金属元素)，氮化物陶瓷在某些方面弥补了氧化物陶瓷的弱点，是一直受到人们重视的特殊陶瓷材料。其种类较多，但多为人工合成材料。 氮化硅（Si3N4） 氮化硅（Si3N4） SiAlON的发现及结构特点 α- SiAlON： 它与α- Si3N4具有相同的结构，因为发光性能好，颗粒形貌更佳而作为发光材料得到研究。 M-α- SiAlON：在α- SiAlON中，Si-N键可被Al-N键和Al-O键取代，取代引起的电荷差异通过引进金属阳离子M来平衡，而形成M-α- SiAlON。其中 M为碱（碱土）金属元素或稀土元素，当M为小离子时，容易得到单相M-α- SiAlON。其结构的堆积方式ABCDABCD…,结构中存在封闭的孔洞，阳离子可填充入其中，起到稳定M-α- SiAlON结构的作用。在 M-α- SiAlON中阳离子M与7个（N，O）阴离子配位，且存在三种不同的M－(N，O)距离，其中一个M－(N，O) 键比其他6个M－(N，O)键短得多，这种7配位结构有利于掺入碱土金属和稀土离子。金属阳离子因其格点格点较小，更易与较小得氧阴离子配位。 稀土离子在氮化硅、SiAlON及其他氮化物中起着极其重要得作用，它们常被用着烧结助剂，不仅能降低烧结温度，还能提高氮化物材料的高温性能及蠕变性能，但作为发光材料研究还是最近的事。 稀土离子Eu2+和Ce3+比较适合做发光材料。从尺寸的角度看，Eu3+结合进入α- SiAlON晶格是可能的，有研究报道Eu3+-α- SiAlON确实存在，但由于Eu3+部分还原为二价，无法获得单相。对于较大的Ce3+离子，至今未见单相α- SiAlON材料的报道。 氮硅化物的组成范围是非常广的，以SiO2、 Si2N2O、Si3N4为基本反应单元，可以与M’2O(M’＝碱金属)、 MO(M＝碱土金属和Zn等)、Re2O3(Re=稀土)、Al2O3等氧化物反应，也可以与相应的氮化物反应，生成一系列硅氮氧化物或纯氮化物。当然，Si还可以被Ge取代，形成发光材料基质， Eu2+等激活离子在这些氮硅氧化物中具有宽激发性能 Ce3+掺杂 Ce3+掺杂硅氮氧化物基发光材料的制备（固相反应法） 采用CeO2、Y2O3、α- Si3N4、SiO2为原料，按照化学计量比称量后分散在丙酮介质中，球磨混合10小时，干燥后的粉末置于钼坩锅中灼烧，气氛为5％H2/95%N2，灼烧温度分别为：Y5(SiO4)N和Y4Si2O7N2在1600 ℃烧2h， YSiO2N在1500 ℃烧2h， Y2Si3O3N4在1700 ℃烧2小