第三章 器件.pptVIP

第三章 器件 MOS管的静态特性：漏端感应端势垒降低 * 第三章 器件 MOS管的静态特性：热载流子效应 * 第三章 器件 MOS管的静态特性：CMOS闩锁效应 * 第三章 器件  MOS管的静态特性：工艺偏差 原因：1）、由于淀积或杂质扩散期间的不均匀引起工艺参数不同，导致薄层电阻以及阈值电压的变异。2）、器件尺寸上的变化造成W/L或互连线的偏差。 * 第三章 器件  综述： 工艺尺寸缩小  * 第三章 器件  综述： 工艺尺寸缩小理想的按比例缩小理论：1、全比例缩小；2、恒压缩小；3、一般化缩小。  * 第三章 器件  综述： 工艺尺寸缩小全比例缩小理论：1、器件所有的横向和纵向尺寸缩小N倍 ；2、阈值电压和电源电压缩小N倍；3、所有的掺杂浓度增加N倍。  * 第三章 器件  综述： 工艺尺寸缩小恒压缩小理论：1、器件所有的横向和纵向尺寸缩小N倍 ；2、阈值电压和电源电压不变；3、所有的掺杂浓度增加N的平方倍。  * 第三章 器件  综述： 工艺尺寸缩小一般化比例缩小理论：1、器件所有的横向和纵向尺寸缩小S倍 ；2、阈值电压和电源电压缩小U倍；3、所有的掺杂浓度增加S的平方倍。  * 第三章 器件  综述： 工艺尺寸缩小理想的按比例缩小理论：  * 第三章 器件  综述： 工艺尺寸缩小  * 第三章 器件 * 第三章 器件 * 第三章 器件 * 第三章 器件 * 第三章 器件 * 第三章 器件 * 第三章 器件 * 第三章 器件 * 第三章 器件 path_delay=(0.50+1.0+0.54+0.32+0.66+0.23+0.43+0.25)=3.93ns * 第三章 器件 主要内容：1）、二极管的参数与静态、动态特性；2）、MOS管的参数与静态、动态特性；5）、全比例缩小和工艺偏差； * 第三章 器件 1）、简单回顾二极管的基本特性和静态特性； * 第三章 器件 * 第三章 器件 耗尽区电容 * 第三章 器件 耗尽区电容 * 第三章 器件 耗尽区平均电容 * 第三章 器件 二极管的二次效应 1、中性区电阻； 2、击穿； 3、热电阻效应； * 第三章 器件 MOS管的静态特性：速度饱和 * MOS管的静态特性：速度饱和 第三章 器件 * 第三章 器件 MOS管的静态特性：速度饱和的手工分析 * 第三章 器件 * 第三章 器件 MOS管的静态特性：静态手工分析模型 * 第三章 器件 MOS管的静态特性：静态手工分析模型 * 第三章 器件 MOS管的静态特性：静态手工分析模型 * 第三章 器件 MOS管的静态特性：静态手工分析模型 * 第三章 器件 MOS管的静态特性：亚阈值导电 * 第三章 器件 MOS管的静态特性：静态手工分析模型2 * 第三章 器件 MOS管的静态特性：静态手工分析模型2 * 第三章 器件 MOS管的静态特性：静态手工分析模型2 * 第三章 器件 MOS管的静态特性：静态手工分析模型2 * 第三章 器件 MOS管的静态特性：静态手工分析模型2 * 第三章 器件 动态特性：电容特性 * 第三章 器件 动态特性：电容分类:1）、结构电容（由基本的MOS结构组成，包括栅氧电容和覆盖电容）；2）、沟道电容；由沟道电荷产生的电容；3）、结电容：由反向偏置的源-体和漏-体之间的PN结产生的非线性电容。 * 第三章 器件 动态特性：电容分类:1）、结构电容（由基本的MOS结构组成，包括栅氧电容和覆盖电容）； 覆盖电容： 栅氧电容： * 第三章 器件 动态特性：2）、沟道电容；由沟道电荷产生的电容； CGCS=0; CGCD=0; CGCB=WLCox; CGCS=WLCox/2, CGCD=WLCox/2, CGCB=0; CGCS=2/3WLCox, CGCD=0; CGCB=0; * 第三章 器件 动态特性：2）、沟道电容；由沟道电荷产生的电容； * 第三章 器件 动态特性：2）、沟道电容；由沟道电荷产生的电容； * 第三章 器件 动态特性：电路模拟器提取电容： * 第三章 器件 3）、结电容：由反向偏置的源-体和漏-体之间的PN结产生的非线性电容。 * 第三章 器件 动态特性：源-漏电阻： *