第4章 存储器系统B.pptVIP

4.3??只读存储器ROM 1 28 2 27 3 26 4 25 5 24 6 23 7 22 8 21 9 20 10 19 11 18 12 17 13 16 14 15 VPP A12 A7 A0 D0 D1 D2 地 D3 D4 D5 D6 D7 CE A10 OE A11 A9 A8 NC PGM VCC A1 A2 A3 A4 A5 A6 1、8K×8bit芯片，其引脚与SRAM 6264完全兼容： 2、地址信号：A0 ~ A12 3、数据信号：D0 ~ D7 4、输出允许信号：OE 5、片选信号：CE 6、编程脉冲输入：PGM=0，编程输入。读操作时PGM=1 7、 VCC=+5V，VPP=+21V（+12.5V，+15V，+25V）。 EPROM 2764 * 4.3??只读存储器ROM 2764的工作方式 数据读出： A0 ~ A12，OE=CE=0，D0 ~ D7 编程写入 擦除：15~20分钟 标准编程：编程负脉冲50±5ms 快速编程：编程负脉冲100us，写10次 编程写入的特点： 每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据。 工作方式 * 4.3??只读存储器ROM 二、典型E2PROM 特点： ?可在线编程写入 ?掉电后内容不丢失 ?电可擦除 E2PROM芯片2817A (2K×8bit) ?11根地址线（A0 ~ A10） ?8位数据线（D0 ~ D7） ?输出允许信号（OE） ?写允许信号（WE） ?片选信号（CE） ?状态输出端（READY/BUSY） 引脚信号： Intel 2817A最大读出时间250ns，工作电流150mA，维持电流50mA * 4.3??只读存储器ROM 2817A工作方式 ?数据读出 ?编程写入： ?擦除： 字节写入：A0~A10，CE=WE=OE=1，D0~D7，BUSY=0，写入一个字节，BUSY=1 字节擦除：一次擦除一个字节 A0~A10，CE=OE=0，WE=1， BUSY高阻，从D0~D7读出数据 * 4.3??只读存储器ROM 编程速度快，掉电后内容又不丢失。 特点： 通过向内部控制寄存器写入命令的方法来控制芯片的工作方式。 应用： 构成存储卡，BIOS，便携式闪存硬盘、MP3等。 工作方式： 数据读出 编程写入： 擦除 读单元内容 读内部状态寄存器内容 读芯片的厂家及器件标记 数据写入，写软件保护 字节擦除，块擦除，片擦除 擦除挂起 三、闪存(flash memory)E2PROM * 4.3??只读存储器ROM ?17根地址线A0 ~ A16，A7 ~ A16寻1024个分区地址，A0 ~ A6寻各分区的128个字节单元 ?8位数据线（I/O0 ~ I/O7） ?输出允许信号（OE） ?写允许信号（WE） ?片选信号（CE） 引脚信号： ATMEL公司的AT29C010A，单一+5V闪存，容量1M?1bit，快速读出时间70ns，分区(1024区?128字节)快速编程周期10ms，低功率有效电流50mA，维持电流100mA。 ?编程电压VPP、工作电压VCC均为+5V，VSS接地 * AT29C010A工作方式 4.3??只读存储器ROM ?软件数据保护： ?数据读出： ?编程： ?字节装载： A0~A16，CE=OE=0，WE=1，从I/O0~I/O7读出数据 装入每一分区待编程的128字节数据或数据保护的软件编码。A0~A16，CE=WE=0，OE=1，数据在CE、WE上升沿时锁存。 以分区为单位进行再编程，一般在150?s内结束装入；编程周期。自动擦除分区内容，对锁存的数据在定时器作用下编程。 通过程序指令可以开启或关闭软件数据保护特性。 * 4.4???存储器系统设计 一、系统内存配置 IBM PC/XT内存配置示意图 8086 CPU的中断服务程序入口地址固定存放在内存00000H~003FFH地址空间。 * 二、存储器系统设计应注意的问题 (1)CPU总线的负载能力 4.4???存储器系统设计 (2)CPU时序和存储器存取速度之间的配合 (3)存储器容量配置及地址分配 ?计算机运行环境的需要； ?微处理器直接寻址范围； ?ROM区的设置； ?特殊用途所规定的固定地址； (4)控制信号的连接 * 三、存储器的扩展 4.4???存储器系统设计 位数扩展 用8