取向生长和液相Ga掺杂ZnO纳米棒阵列制备、表征及性能.pdf

摘要 近年来，ZnO纳米棒因其独特的光电性能及其在紫外光电子器件、气体及生物传感 器和太阳能电池等方面的潜在应用价值而受到人们的广泛关注，其中关于纳米棒阵列的 可控合成和p一型掺杂是其走向器件应用的关键和难点。本文采用改进的两步溶液化学法 制备ZnO纳米棒阵列，着重研究了第一步溶液化学法所制备的ZnO纳米颗粒种子膜的微结 构对第二步所生长的ZnO纳米棒的尺寸大小及取向结构的影响，通过优化ZnO纳米颗粒种 子膜的热处理工艺，分别获得了不同纳米棒直径和阵列结构以及具有a轴和c轴择优取向 生长的ZnO纳米棒阵列。 接触角测量显示，ZnO纳米棒阵列的浸润性与纳米棒的直径和阵列微结构密切相关， 随着ZnO纳米棒尺寸的增加，其与水的接触角变大，亲水性减小；而当ZnO纳米棒由平直、 排列整齐的阵列结构变成无序、弯曲结构时，与水的接触角减小，对水的浸润性增强。 对于a轴和C轴取向生长的ZnO纳米棒而言，a轴取向的ZnO纳米棒阵列倾向于亲水性，而c 轴取向生长的ZnO纳米棒阵列则呈现疏水性，表明a轴和C轴取向的ZnO纳米棒可能有不同 的表面自由能。水接触角依赖于ZnO纳米棒的尺寸和取向结构的习性为调控ZnO纳米材料 的浸润性提供了可能，同时也为ZnO纳米材料的一些与浸润性相关的性能(如光催化、 自清洁、抗菌及气敏和湿敏等)的优化提供理论和实验依据。光吸收和光致发光测量表 明，a轴取向生长的ZnO纳米棒的光吸收边较C轴取向的纳米棒有明显的红移，其发光强 度较c轴取向的明显减弱，暗示a轴和C轴取向的ZnO纳米棒可能具有不同的能带结构。 本论文还在两步化学法制备ZnO纳米棒的基础上，初步探索出了在ZnO纳米棒中进行 晶格中，然后在NH3气氛中热处理实现Ga—N共掺杂，以期获得P一型掺杂ZnO纳米棒阵列。 光吸收研究发现，掺杂ZnO纳米棒的吸收光谱在大约361nm处出现了一个很尖锐的吸收 峰，初步判断是Ga-N共掺杂的吸收峰，表明了通过温和的液相方法对ZnO纳米材料进行 P一型掺杂是非常有可能的。 关键词： ZnO纳米棒，a一轴取向生长， 浸润性， Ga-N共掺杂，两步化学法 Abstract In has an interestin the few been ZnO past years，there increasing and in becauseoftheir UVelectronic uniqueoptoelectronicpropertiespotentialapplications and solarcells ofthese sensors，and ctc．However，most devices，gasbiological proposed will an andorientedZnOnanowires／nanorodsaswellasan applicationsrequirealigned this demonstratethe oforiented effectivelyP-typedoping．Inpaper，wemainly preparation and ZnOnanomaterialsandtheir in and doped-Ga propertieswettability，opticalabsorption luminescence．Aso-called chemicalreactioninsolutionis for