第三章 平板显示面板设计(一).ppt

3.1.1 平板显示器的构成 1．显示尺寸:对角线 2. 宽高比 3. 像素与像素节距 4.开口率 3.1.2 平板显示器的性能参数 Cs on COM像素结构与像素等效电路 Cs on Gate像素结构与像素等效电路 Cs on COM结构的截面图 滤色器（CF）与TFT的集成 1. TFT-LCD的生产流程 3.3.4 α-Si:H TFT LCD的驱动系统 扫描驱动电路 数据驱动与γ校正电路 利用电阻环分压形成6比特灰阶电压 DAC与缓冲放大器的连接方式 电荷分享电路连接方式 时序控制电路 3.4 LTPS TFT LCD显示技术 3.4.1 LTPS TFT-LCD与α-Si:H TFT LCD （1）TFT器件：电子移动率高，TFT响应速度快；多晶硅光/热敏性差，TFT器件性能稳定；可形成CMOS器件；TFT尺寸小；自对准结构，寄生电容小。 （2）显示周边电路：将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上，达到系统集成的目标、节省空间及驱动IC的成本。同时，由于驱动IC线路直接制作于面板上，可以减少组件的对外接点，增加可靠度、维护更简单、缩短组装制程时间及降低EMI特性，进而减少应用系统设计时程及扩大设计自由度。 （3）显示器：开口率高；可以实现高分辨率，高对比度显示；充放电时间少，可以减小信号失真，提高图像质量；a-Si TFT的驱动电压高达25V，而LTPS TFT可以由小于10V的电压进行驱动，因此能耗相对较低；LCM构造相对简单。 反射式和透反射式液晶显示 滤色器集成 嵌入式（in-cell）触摸屏集成 3.4.3 LTPS TFT-LCD背板制造工艺 CMOS LTPS TFT-LCD背板工艺流程 3.4.4 显示集成 （a）阵列上彩色滤光片技术；（b）彩色滤光片上阵列技术 光敏感in-cell触摸屏像素结构 电压感知嵌入式触摸屏像素结构 电荷敏感嵌入式触摸屏像素结构 硅岛形成 离子注入 栅极形成 离子注入 栅极和源漏极连接线形成 LTPS-TFT电路集成技术进展 1bit SRAM像素结构 DRAM像素结构 内置像素存储器 实例-瞬态分析 SVGA（1280×RGB×1024）的TFT-LCD面板，在扫描线上的亚像素等效电阻和电容分别为：R=0.542Ω,C=0.129pF,信号端A的电压起始值V=0在t=0s时改变至30V，12.9μs后回到起始值0V，用SPICE计算B端延迟波形。 思考 * * * * 光通過的強弱可以用一個light valve來控制，valve打開的越大，光通過的越多，眼睛看到的就越亮。若有一個穩定的光源，經過light valve的控制之後，就可以得到不同亮度的結果。 * 光閘?就是光的開關 * 列反转和点反转在功耗和图像质量方面有较大的改进。直接驱动法能提供上述所有的4种反转方式，而Vcom反转方式仅能提供帧反转和行反转。 闪烁是影响TFT-LCD图像质量的一个因素。帧反转方式的闪烁是最强的；而点反转方式闪烁是较弱的，图像质量是最好的。 交叉串扰是影响图像质量的另一因素。交叉串扰是由于相邻像素具有相似电压极性而引起的误显示。 相邻像素使用不同的极性反转方式有助于消除交叉串扰。直接驱动法的反转方式能消除在行方向和列方向的交叉串扰 2、信号写入 G D S VGS VTH V SD D S G 　　TFT 元件在栅极(G)给于适当电压(VGSVTH :起始电压)使通道感应出载流子(电子)而使得源极与漏极间导通。 D S G G D S Ccharge com VGSVTH 充电要求： 充电电流 充放电电流不是恒定电流（VDS变化），充电电流降低比放电时严重，这时VGS会因为源极电压变化而变化 充电时间 N行，≤Tf/N。数据格式、延迟效应 电压范围 电压范围 数据IC电压范围 最小灰阶控制电压:8bit,8mV;6bit,30mV 最大充电电压范围0-10V（极性反转，共电极设为5V） 共电极电压（Vcom）跳变原理（降低IC的输出电压？降低功耗？） 公共电极电压范围 公共电极电压补偿 扫描驱动IC的电压范围 开启电压Vg=20V，VGS10V 截止电压Vg-5V， VGS=0V 共电极直流电压驱动与电压调变驱动的电压波形比较 不会设置在对称中心5V，而在4.8V，-0.2V为共电极电压补偿△V 信号保持 要求 其中，dVhold是数据信号的最小电压差,dthold电压的保持时间 漏电的路径 液晶电容的漏电 参数：?LC=3-12，ρLC=1013Ω·cm，符合电位保持的要求 TFT的漏电：10-12-10-13A，不是定值 点缺陷型漏电（缺陷现象？） 漏电至扫描线、漏电至共电极、漏电至数据线、漏电至相邻像素 存储电容 作用：减低漏电流（增大Chold