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* 两端固定的弦的振动 * 势井中平面的振动 * 第五章、金属电子论基础——自由电子气模型 第三节、自由电子气的比热 自由电子气按能级分布的一般规律 当 T? 0 时，如果 Ei 比 ? 大几个 kBT 时，exp[(Ei – ?)/kBT]，fi ? 0； 当Ei 比 ?小几个kBT的范围内， fi ? 1。室温附近，kBT/? ? 0.01， 分布函数与 T = 0 时情形的差别， 仅出现在与? 非常接近的能级上 的电子的分布，即，仅有少数电 子被激发到的能级上，同时在处 留下一些空态。 ?F * 第五章、金属电子论基础——自由电子气模型 第三节、自由电子气的比热 化学势随温度的变化 T ? 0 时，电子气系统单位体积的内能 u = 2 V ?k?(k)f(k) = 1 4?3 ? ?(k)f(k) dk 其中，系统的化学势 ? 由下式确定 n = 2 V ?kf(k) = 1 4?3 ? f(k) dk 利用能态密度g(?)，上式可以改写为 u = ? ? g(?)f(?) d? ? ?? n =? g(?)f(?) d? ?? ? ? 随温度的变化: ? ? ?F0[1– ( )] ?2 12 kBT2 ?F0 kBT2 ?F0 ~ 10–4 * 第五章、金属电子论基础——自由电子气模型 第三节、自由电子气的比热 自由电子气的比热 自由电子气的内能密度 u = ??g(?)d?+?F0g(?)(?–?F0)f + (?g(?)) ?F0 ?2 6 (kBT)2 0 ?F0 d d? u – u0 = g(?F0) (kBT)2 ?2 6 计算结果 u = u0 [1+ (T/TF)2] 5?2 12 或 由泡利不相容原理和费米-狄拉克统计的估计 T?0 时，电子的热激发仅发生在费米面附近，数量约 为g(?F0)kBT，每个电子具有的平均能量kBT，u–u0的数 量级为g(?F0)(kBT)2 * 第五章、金属电子论基础——自由电子气模型 第三节、自由电子气的比热 自由电子气的比热 Cv = ( )v= ? u ? T ?2 3 kB2g(?F0)T Cv = ? T 通常的形式 ?2 3 kB2g(?F0) ? ? 其中 比热系数 Cv = ?2 2 nkB T TF 晶体低温的比热 Cv = ? T + ?T3 晶格比热 电子比热 T*~ 10K 3NK Cv T 由 Cv/T = ? +?T，可以确定 ?。 ?exp/ ?free = m*/me * 第五章、金属电子论基础——自由电子气模型 第四节、电导率和欧姆定律 电子的动量与波矢 P = mev = ?k 外电场作用下，电子运动方程及其解 F = dP dt dv dt me dk dt ? = = = – eE k(t) – k(0)= – eE ? t E ?k 电子由k(0)向k(t)态的漂移，是 费米球内许可态间的跃迁，只 能发生在费米球表面附近。 * 电子在外场作用下的平均漂移时间即是自由电子的 平均自由时间 ?。电子的平均速度的增量v，电子定 向运动的电流密度 j 由欧姆定律， j = ? E 金属的电导率和电阻率分别为 铜的例子：vF = 1.57?108cm?1, T=4K, ??2?10?9s, T=300K, ??2?10?14s, ?(4K)?0.3cm, ?(300K)?3?10?6cm 第五章、金属电子论基础——自由电子气模型 第四节、电导率和欧姆定律 * 马蒂森实验定律 通过对金属电阻率随温度的变化规律的研究，马蒂森 总结了如下的实验规律 ?(T) = ?0+?e(T) 其中 ?e(T) 源于声子对电子 的散射，与晶体的温度和 晶格结构有关，称为本征 电阻率。 ?0 由晶体的杂质 或缺陷对电子的散射产生， 称为剩余电阻 Ag Ag+0.02%Sn Ag+0.5%Au T(K) ? 第五章、金属电子论基础——自由电子气模型 第四节、电导率和欧姆定律 * 马蒂森实验定律理论基础 以 ?0 和 ?e 分别记杂质和晶格对电子的平均散射时间 ne2?0 me ?0 = 1/?0 = ne2?e me ?e = 1/?(T) = 在上述两种散射机制下，电子在金属中的平均电阻 ?(T) = ?0+?e(T) = me ne2?0 me ne2?e + 电子的平均自由时间 1 ?0 1 ?e + 1 ? = 第五章、金属电子论基础——自由电子气模型 第四节、电导率和欧姆定律 * 第五章、金属电子论基础——自由电子气模型 第五节、金属的热导率 金属中