器件——晶闸管剖析.ppt

自动化与信工程学院电气系 --电力电子技术-- 电力半导体器件 Power Semiconductor Devices 主讲：伍文俊 电力电子器件的概念 电力电子器件（Power Electronic Device）是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 ?主电路：在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 ?广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类，目前往往专指电力半导体器件。 电力电子器件的特征 ◆承受电压和电流的能力是其最重要的参数，所能处理电功率的一般都较大。 ◆一般都工作在开关状态。 ◆需要驱动电路。 ◆自身的功率损耗大，一般都需要安装散热器。 ?通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。 ?当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增 大而可能成为器件功率损耗的主要因素。 通态损耗 断态损耗 开关损耗 开通损耗 关断损耗 电力电子器件的功率损耗 电力电子器件在实际应用中的系统组成 电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。 电气隔离 电力半导体器件的分类: 1、按可控性分类 （1）不控型器件 :电力二极管 （2）半控型器件 ：晶闸管 （3）全控型器件 ：GTO、GTR、IGBT、MOSFET、IGCT 2、按驱动信号类型分类 （1）电流控制型 ： GTO、GTR、SCR （2）电压控制型 ： IGBT、MOSFET、IGCT 3、按控制信号的形式分类 （1）脉冲触发器件 :SCR、GTO （Pulse Triggered Devices） （2）电平触发器件:GTR、IGBT、MOSFET、IGCT （Level Triggered Switching Devices） 分类 晶闸管的结构 晶闸管的工作原理 晶闸管的特性 晶闸管的主要参数 晶闸管的派生器件 §2.1 晶闸管(Thyristor) 又称可控硅（Silicon Controlled Rectifier--SCR） 一、分类 按门极控制信号性质： 光控晶闸管 电控晶闸管 按输出伏安特性： 逆导晶闸管 双向晶闸管 按器件的使用频率： 高频晶闸管（快速晶闸管） 低频晶闸管（普通晶闸管） 二、晶闸管的结构 结构:分为管芯及散热器两大部分。 方式: 分为螺栓型与平板型两种。 螺栓型：散热效果差，用于200Ａ以下容量的元件，自冷。 平板型：散热效果好，用于200Ａ以上的元件，水冷和风冷。 内部结构：四层（P-N-P-N） 三端（A、K、G） 三、晶闸管的工作原理 1、 内部物理过程： 晶体管的集电极电流为另一只晶体管的基极电流→形成正反馈 特点： A、无门极电流，阳阴极电压为正或为负均不能开通，电阻无穷大； B、导通后电流由外部电路决定，通态压降小，导通电阻近于0 C、晶闸管一旦导通，门极便失去控制作用 D、单向导电性 2、 工作原理 导通条件：正向阳极电压，正向门极电压。 关断条件：必须使阳极电流降低到某一数值之下（约几十毫安）。 两种强迫关断方式：电流换流和电压换流。 四、 晶闸管的特性 1、晶闸管的阳极伏安特性----静态特性 ① 正向阻断--高阻区 ② 负阻区 ③ 正向导通--低阻区 ④ 反向阻断--高阻区 2、门极伏安特性----静态特性 确保触发：Ig IGT, Ug UGT 加反压 10Ｖ，防止误触发 门极峰值功率 门极正向峰电压 门极正向峰电流 门极平均功率 3、 晶闸管的动态特性 延迟时间 上升时间 反向阻断恢复时间 正向阻断恢复时间 开通时间ton ：ton=td+tr ； 关断时间：toff=trr+tgr。 延迟时间td ：ia从0到0.1IT；上升时间tr：ia从0.1IT到0.9IT 五、 晶闸管的主要参数 1、额定电压UR 选用器件时 UR=(2～ 3)UTM 正反向重复峰值电压 器件选取时，取UDRM和URRM中较小值，取整 1000V以下（100V一个等级），1000～3000V（200V一个等级） UDRM = 0.9UDSM，URRM = 0.9 URSM 2、通态平均电流（额定电流）IT(AV)