第1章半导体器件基础汇编.ppt

* 韩 良 * ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC UCE O * 韩 良 * 晶体管参数与温度的关系 1、温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优 于锗管。 2、温度每升高 1?C，UBE将减小 (2～2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 * 韩 良 * 1.5 场效应管 * 韩 良 * 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件（VCCS）。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 * 韩 良 * 1.5.1结型场效应管 符号 结构示意图 栅极 漏极 源极 导电沟道 * 韩 良 * 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS（off） * 韩 良 * 漏-源电压对漏极电流的影响 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 uDS＞0，则有电流iD从漏极流向源极，从而使沟道中各点与栅极间的电压不再相等。 uGD=uGS-uDS，所以当uDS 从零逐渐增大时，uGD逐渐减小，靠近漏极一边的导电沟道必将随之变窄。 但是，只要栅-源间不出现夹断区域，沟道电阻仍将基本上决定于栅-源电压uGS，因此，电流iD 将随uDS的增大而线性增大，d-s呈现电阻特性。一旦uDS的增大使uGD等于UGS(off)，则漏极一边的耗尽层就会出现夹断区。 uGDUGS(off) * 韩 良 * 漏-源电压对漏极电流的影响 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） 若uDS继续增大，则uGDUGS(off)，耗尽层闭合部分将沿着沟道方向延伸，即夹断区加长。 * 韩 良 * 夹断电压 漏极饱和电流 转移特性 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS(off)，且uGD＜UGS(off)。 uDG＞－UGS（off） * 韩 良 * g-s电压控制d-s的等效电阻 输出特性 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： * 韩 良 * 1.5.2绝缘栅场效应管 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 金属电极 (1) N沟道增强型管的结构 栅极G 源极S 1. 增强型绝缘栅场效应管 SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 * 韩 良 * G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 * 韩 良 * (2) N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D * 韩 良 * EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 当UGS UGS（th）时，将出现