场效应器件物理MOS结构剖析.ppt

* * * * * * XIDIAN UNIVERSITY * 1.1 MOS电容 阈值电压影响因素:栅电容 COX影响：COX越大，则VTN越小； 物理过程：COX越大，同样VG在半导体表面感应的电荷越多， 阈值反型点（半导体表面的负电荷总量不变）所需VG越小，易反型 COX提高途径： 45nm工艺前，减薄栅氧化层厚度; 45nm工艺后，选择介电常数大的绝缘介质 XIDIAN UNIVERSITY * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 阈值电压影响因素:掺杂浓度 |QSDmax|=e NaXdT Na影响：Na越小，则VTN越小； 物理过程：Na越小，达到反型所需耗尽的多子越少， QSDmax越小，半导体表面易反型。 问题：假定半导体非均匀掺杂，影响VT的是哪部分半导体的浓度？ 氧化层下方的半导体掺杂浓度影响VT 可通过离子注入改变半导体表面的掺杂浓度，调整VT。 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 阈值电压影响因素:氧化层电荷 QSS`影响：QSS`越大，则VTN越小； 物理过程：QSS`越大，其在半导体表面感应出的负电荷 越多，达到反型所需栅压越小，易反型 注意：QSS`对VT影响的大小与衬底掺杂浓度有关 ，Na 越大，QSS`的影响越小。 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 阈值电压影响因素:功函数差 影响： 越负，则VTN越小； 物理过程： 越负，往半导体表面转移的负电荷越多，阈值 反型点时需栅压产生的负电荷越少，所需栅压越小， VTN越小 P衬配N+多晶硅栅, ＜0 思考： N衬配多晶硅栅，是P+栅？还是N+栅？ N衬配P+多晶硅栅： ＞ 0，易反型 XIDIAN UNIVERSITY * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 阈值电压:导通类型 P衬MOS：VG ≥ VTN才强反型 VTN0，增强型MOSFET VG ≥ VTN0，强反型； 零栅压，未强反型 ，沟道不存在。 VTN0 ，耗尽型MOSFET 0VTN，已强反型，零栅压时沟道存在； VG ≤ VTN时脱离反型。 结论：改变Na可改变VTN的正负，即可改变器 件MOSFET类型 问题：Na很小时，为什么容易形成耗尽型管？ 小于0的金半功函数差和正的Q`ss P衬MOS n沟道MOSFET XIDIAN UNIVERSITY * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 阈值电压:n型衬底情形 思考：如曲线图，此种PMOS器件，增强型，还是耗尽型？ 0栅压是否存在反型沟道？ VGVTP，才能在n型衬底表面形成空穴反型层 VTP0， 0栅压无反型沟道，PMOS器件--增强型 * XIDIAN UNIVERSITY 费米势 表面耗尽层最大厚度 单位面积表面耗尽层电荷 单位面积栅氧化层电容 平带电压 阈值电压 1.1 MOS电容 n型衬底与p型衬底的比较 p型衬底MOS结构 n型衬底MOS结构 阈值电压典型值 金属-半导体功函数差 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1.6 阈值电压 需掌握内容 阈值电压定义 推导过程和公式 电中性条件 阈值电压影响因素和物理过程 * XIDIAN UNIVERSITY END * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 表面电荷面电荷密度 一块材料，假如有均匀分布的电荷，浓度为N，表面积为S，厚度为d 材料总电荷：Q= 表面S单位面积内的电荷（面电荷密度）：Q`= MOS电容，耗尽层和反型层均在氧化层下方产生， 表面积即栅氧化层面积 耗尽层电荷面电荷密度：Q`SD= eNa Xd 反型层电荷面电荷密度： Q`inv = ens Xn S d N d * XIDIAN UNIVERSITY Φs 大小 S表面状态 S表面电荷QS随Φs的关系 Φs0 多子积累 Q`S∝exp(Φs/Vt) Φs