半导体薄膜生长技术方案.pptVIP

半导体薄膜的生长;半导体薄膜的生长;11.1 台阶流动和二维成核;;;我们可以固定原子到达流量，改变衬底温度，测定不同温度下RHEED强度随时间的变化曲线，如右图所示。温度在615℃以上时，RHEED强度随时间曲线平稳，生长以台阶流动为主。在615℃以下，RHEED强度随时间的曲线出现越来越明显的振荡，生长以二维成核为主。 615℃可以称为台阶流动到二维成核生长的转变温度TC ;图11.3（b）是Shitara等用Monte-Carlo方法模拟得到的GaAs(001)邻晶面不同温度下表面结构给出的台阶密度随时间的变化曲线。和RHEED强度随时间变化的实验曲线比较厚可以看出两者符合的很好。模拟时考虑温度较高，二维晶核边缘原子也可以扩散，使用的扩散激活能E=ES+zEN (是增原子和衬底之间的键能，原子和相邻原子的键能，z是邻近原子数)。对单个增原子z=0.取ES=1.58eV,EN/ES=0.15,衬底温度为560-620 ℃时模拟得出表面结构随时间的曲线可见：615 ℃以下台阶密度开始出现起伏。;利用外延薄膜和衬底之间的错配，在一定的条件下可以自发地（或自组织）形成量子线和量子点 ;台阶上扩散;如果超晶格A/A’/A/A’..中每一层的厚度都很小，就可以不产生错配位错的应变超晶格。它有两个特点： （1）应变超晶格薄膜和衬底B有严格的共格关系；（2）在超晶格A、A’层中存在弹性