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??1 晶体生长概述
??2 从固相中生长晶体
??3 从溶液中生长晶体
??4 从熔融液中生长晶体??
??5 从气相中生长晶体;Important crystals;Various synthetic crystals;Conditions to grow high quality crystals;Advantages of growing crystals from solid phase;Crystals from solid phase (recrystallization);1.利用退火消除应变的再结晶;2.利用烧结生长;3.借助多形性转变生长;Crystals from solutions;Drawbacks of growing crystals from solutions;溶解度曲线;饱和与过饱和(Saturation and oversaturation);1.降温法;降温法实验要点;降温速度一般取决于以下几个因素:
(1)晶体的最大透明生长速度,即在一定条件下不产生宏观缺陷的最大生长速度。
(2)溶解度的温度系数。
(3)溶液的体积V和晶体生长表面积S之比,简称体面比。
一般来说,在生长初期降温速度要慢,到了生长后期可稍快些。掌握规律后,也可按设定程序,实行自动降温。
;Growth of NLO crystalsKDP (KH2PO4);2.流动法(温差法);3.蒸发法;4.凝胶法;5.水热法(hydrothermal)(高压溶液法);水热反应釜;6. 挥发法;扩散法关键在于溶剂极性的选择及扩散层的形成。
扩散法长晶体的机理:
配体与金属通过扩散在中间层相遇,出现一个合适的浓度,使配合物易于以晶体的形式析出。
;;汽液扩散;Crystals from melt;熔体生长法分类;1. 提拉法(Czochralski method, 1918);提拉法的改进;Silicon crystal growth;工艺过程(掌握);3.放肩:缩颈工艺完成后,略降低温度,让晶体逐渐长大到所需的直径为止。这称为“放肩”。在放肩时可判别晶体是否是单晶,否则要将其熔掉重新引晶。单晶体外形上的特征—棱的出现可帮助我们判别,111方向应有对称三条棱,100方向有对称的四条棱。
4.等径生长:当晶体直径到达所需尺寸后,提高拉速,使晶体直径不再增大,称为收肩。收肩后保持晶体直径不变,就是等径生长。此时要严格控制温度和拉速不变。
5.收晶:晶体生长所需长度后,拉速不变,升高熔体温度或熔体温度不变,加快拉速,使晶体脱离熔体液面。;2. 坩埚下降法(Bridgeman-Stockbarger method, 1923);3. 泡生法(Kyropoulos method, 1926);4. 区熔法(Pfann method, 1952);Flux crystal growth (助熔剂法生长单晶);Flux crystal growth (助熔剂法生长单晶);助熔剂法晶体生长的特点:
(1)三维成核要求的过饱和度一般都比较大,晶体生长阶段所需要的过饱和度也比较高;
(2)晶体生长阶段一般遵从螺型位错生长机制,或通过顶角和晶棱成核;
(3)由于助熔剂黏度比水溶液大得多,边界层较厚,晶体生长速度主要受溶质穿过边界层的扩散过程限制;
(4)热量输运对晶体生长的影响可忽略。
;助熔剂的类型;助熔剂的选择;Crystals from gas phase (气相法生长单晶)
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