扩散氧化工艺原理.pptVIP

扩散氧化工艺原理;扩散工艺原理;;;;扩散原理;式中 dN(x,t)/dx—杂质浓度梯度（即沿x方向杂质浓度变化率） D—杂质扩散系数 扩散系数D是描述杂质扩散运动快慢的一个物理量，它与扩散温度、杂质种类、扩散气氛、衬底晶向等多种因素有关。负号表示扩散方向与浓度增加方向相反，即沿着浓度下降的方向。 在此说明一下，上式是假定在一维空间中，即J只是x和t的函数。;;;;;;;;扩散方程;扩散方程;扩散方法;扩散的均匀性和重复性;均匀性;均匀性;均匀性;重复性;扩散工艺的主要参数;影响扩散的工艺参数;扩散工艺的控制要点;;热氧化工艺原理;2. 1氧化层的作用;1960年二氧化硅就已被用作晶体管选择扩散的掩蔽膜，从而导致了硅平面工艺的诞生，开创了半导体制造技术的新阶段。同时二氧化硅也可在注入工艺中，作为选择注入的掩蔽膜。作为掩蔽膜时，一定要保证足够厚的厚度，杂质在二氧化硅中的扩散或穿透深度必须要小于二氧化硅的厚度，并有一定的余量，以防止可能出现的工艺波动影响掩蔽效果。;2．1. 2缓冲介质层;2．1．3电容的介质材料;2．1．4 集成电路的隔离介质;2．1．5 MOS管的绝缘栅材料;2．2 热氧化方法介绍;2．2．2 水汽氧化 ;2．2．3 湿氧氧化;2．2．4 掺氯氧化;2. 3氧化过程中硅片表面位置的变化;2．4 影响氧化速率的因素 2．4．1 热氧化模型简介 硅片的热氧化过程是氧化剂穿透二氧化硅层向二氧化硅和硅界面运动并与硅进行反应。Deal-Grove方程具体描述了这种热氧化过程。 Deal-Grove膜厚方程式： X2+AX=B（t+?） 式中： A=2D0*（1/KS+1/h） B=2D0*N*/n ?=（XI2+A*XI）/B D0 ：氧化剂在二氧化硅中的有效扩散系数； h：气相输运常数 KS：界面反应速率常数 ；N*：氧化剂在氧化层中的平衡浓度 XI：初始氧化层厚度； n：形成单位体积二氧化硅所需的氧分子数 极限情况1：短时间氧化时 X=（B/A）*t B/A：线性氧化速率常数 极限情况2：长时间氧化时 X2=Bt B：抛物线速率常数 这两个速率常数都与工艺方法、氧化温度、氧化剂的分压、晶向有关系。;2．4．2 氧化温度的影响 温度越高，氧化速率越快。 2．4．4 硅片晶向的影响 线性速率常数与晶向有较大的关系，各种晶向的园片其氧化速率为： (110)POLY(111)(100);2．4．5 掺杂杂质浓度的影响 当掺杂杂质的浓度相当高时，会产生增强氧化，使氧化速率发生较大变化。 2．4．6 氯化物的影响 2．4．7 氧化剂分压的影响 在前面介绍的湿氧氧化中，如果改变H2或O2的流量，就会使水汽和氧气的分压比变化，使氧化速率变化。;2．4 氧化的工艺控制 1 氧化质量控制 1．1 拉恒温区控制温度 定期拉恒温区以得到好的温度控制 1．2 DCE（C2H2Cl2）或HCL吹扫炉管 1．3 电荷测量 可动电荷测试可以检测到可动离子数目，使我们及时掌握炉管的沾污情况，防止炉管受到可动电荷粘污,使大批园片受损。;1．4 片内均匀性 保证硅片内每个芯片的重复性良好 1．5 片间均匀性 保证每个硅片的重复性良好 1．6定期清洗炉管 清洗炉管，可以减少重金属离子、碱金属离子的沾污同时也能减少颗粒，保证氧化层质量。 1．7 定期检测系统颗粒 ;2．5常见问题及处理;部分园片或部分测试点膜厚正常，但整体均匀性差 对策： 1 如使用假片，检查假片排布； 2 检查排风是否正常 3 检查炉门是否正常; 谢谢