内蒙古大学模电第1章1-2.ppt

u1 0 t u2 0 t 检波的过程 0 t u3 D C L C2 u3 高 放 大 器 频 低 频 放 大 C1 R2 R1 u2 u1 + – + – + – 3 限幅电路 工作原理 a. 当ui较小使二极管D1 、D2截止时 电路正常放大 b. 当ui使二极管D1 或D2导通时 R D2 A Ri + – + – D1 + – 1.2.5 稳压二极管 特点： a. 正向特性与普通管类似 稳压管通常工作于反向电击穿状态用来稳定直流电压 伏安特性 – + iZ uZ uZ Q B A 0 UZ iZ IZ ?UZ ?IZ 符号 b. 反向击穿特性很陡 1. 稳压管的伏安特性 2. 稳压管的主要参数 （1）稳定电压 （4）动态电阻 （2）稳定电流 （3）最大允许功率耗散 （5）温度系数 uZ Q B A 0 UZ iZ IZ ?UZ ?IZ 温度每变化1oC时UZ的相对变化率。即 UZ 6V管子出现雪崩击穿，αU为正； UZ 4V 出现齐纳击穿，αU 为负。 UZ介于4V到6V之间，αU可能为正，也可能为负。 温度系数 定义： 3. 硅稳压管的等效电路 反向击穿时端电压表达式 反向 正向 理想二极管 uZ Q 0 UZ iZ IZ UZ0 等效电路 D1 D2 rZ UZ0 符号 4. 稳压管稳压电路 R——限流电阻 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ (1) 稳压原理 a. UI不稳定 UI↑ → UO↑ → UZ ↑ → IZ↑ → I↑ → I R↑ 　 UO↓ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ b. RL改变 RL↓ → UO↓ → UZ ↓ → I R↓ → IZ↓ → I↓ UO↑ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ (2) 限流电阻计算 输出电压稳定的条件: A 保证稳压管被击穿 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ IZ(min) ≤ IZ ≤ IZ(max) B 保证稳压管可靠工作 UO=UZ 图中 IZ = I－IO DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 此时当IO为最小值IO（min）时，Iz值最大。 当UI为最大值UI（max）时，I值最大； IZ = I－IO 由式 知 由此可得 为保证管子安全工作应使 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ IZ = I－IO 由式 此时当IO为最大值IO（max）时，Iz值最小。 当UI为最大值UI（min）时，I值最小； 知 由此可得 为保证电路可靠工作应使 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 得 由式 及 R过大，稳压管截止 R过小稳压管被烧坏 思 考 题 1. 稳压管可以稳压的条件是什么？ 2. 稳压管稳压电路的特点是什么？ 3. 稳压管稳压电路中限流电阻的大小对电路的性能有什么影响？ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 此电流称为反向饱和电流，记为IS。 因少子浓度主要与温度有关，反向电流与反向电压几乎无关。 - - - - - - P N + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E内 + + + + + + PN结反偏动画演示 总 结 势 垒 PN结 多子扩散 少子漂移 状 态 正 偏 降低 薄 利 不利 低阻 反 偏 增高 厚 不利 利 高阻 PN结的电压与电流关系 + + + + + + _ P N _ _ _ _ _ u i IS—PN结反向饱和电流 UT —热电压 式中 UT=KT q q——电子电量 T——绝对温度 在室温（T=300K)时， K——玻耳兹曼常数 其中 （1）当u=0时， i = 0 （3） 当u0，且|u|UT时， i ? -IS 讨论： （2）当u0，且uUT 时， 思 考 题 1. 半导体中的载流子浓度主要与哪些因素有关？ 2. 温度升高，半