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后段培训报告 讲师：黎剑骑 培训时间：2012、9 目录 后段工艺培训内容 学习体会 RothRau PECVD BACCINI丝网印刷 Despatch烧结炉 Halm测试 总结 RothRau PECVD 1、板式镀膜设备介绍 2、镀膜原理及作用 3、镀膜工艺流程与工艺控制分析 4、镀膜常见问题及其解决方法 5、镀膜现阶段改进状况 目录 RothRau 镀膜设备 Centrotherm PECVD RothRau PECVD PECVD： Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (等离子增强化学气相沉积) 等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子 脱落原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合物组成的一种形态， 这种形态就称为等离子态即第四态。等离子体从宏观来说也是电中性， 但是在局部可以为非电中性。 镀膜原理及作用 --- 是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在硅片上沉积出所期望的薄膜。 所用的活性气体为SiH4和NH3。这些气体经解离后反应，在硅片上长出氮化硅膜。可以根据改变硅烷对氨的比率，来得到不同的折射指数。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得晶片的氢钝化性 十分良好。 PECVD工作原理 SiNx:H介绍: 正常的SiNx的Si/N之比为0.75，即Si3N4。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量会随工艺不同而变化，Si/N变化的范围在0.75-2左右。除了Si和N，PECVD的氮化一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHz或SiNx:H. PECVD的作用 - 生成Si3N4减反膜和H钝化 Si3N4膜的认识 Si3N4膜的颜色随着它的厚度的变化而变化，其理想的厚度是73—77nm之间，但实际控制在85±2nm之间，表面呈现的颜色是深蓝色。 Si3N4膜的折射率在1.9—2.1之间为最佳，实际控制在2.07±2之间，用椭偏移进行测量。 Si3N4膜颜色和厚度对照表 H钝化技术 镀膜工艺流程 手动加载工艺 试片 上片 镀膜 下片 流程 镀膜工艺过程控制 1、膜厚、折射率 为满足现阶段工艺要求，两者分别控制在： 膜厚：85 ± 2 折射率：2.07 ± 2 方案号 序号 1 2 3 4 5 1 SiH4 280 250 150 150 30 80 30 NH3 600 680 680 680 150 450 150 2 SiH4 280 250 150 150 0 0 0 NH3 600 680 680 680 150 450 150 3 SiH4 0 280 200 150 30 80 30 NH3 1000 680 680 680 150 450 150 4 SiH4 0 280 200 150 0 0 0 NH3 1000 680 680 680 150 450 150 现阶段正在进行三成膜实验，其实验方案如下: 2. 微波功率、温度 通过实验对比，目前确定微波功率：3000w；温度400 ℃. 温度400 ℃对比试验如下： 实验结果 批次号 Isc Uoc FF Eta RS Rsh Irev2 低效 备注 B009 8.44 0.619 78.66 16.89% 0.002 465 0.219 2 350℃ B002 8.46 0.62 78.74 16.99% 0.002 534 0.233 3 400℃ Range 0.02 0.001 0.08 0.10% 0 69 0.014 1 50℃ B008 8.51 0.621 78.04 16.92 0.002 534.8 0.181 0 350℃ B010 8.52 0.621 78.16 16.98 0.002 573.8 0.174 2 400℃ Range 0.01 0.01 0.12 0.06% 0 38.982 0.007 2 50℃ 镀膜异常与解决方法 镀膜现阶段改进状况 SIH4 NH3 SIH4 NH3 原挂钩形状 改善后挂钩形状 该区域由于气体被钩点挡住，所以挂钩点较大。 该区域由于有倾斜角度， 气体可以通过，所以挂 钩点较小。（只有最边缘与挂钩接触部分有印痕） 硅片镀膜外观挂勾印改善： 印痕明显变小 挂