3陶瓷晶体缺陷.pptVIP

第3章 无机非金属材料晶体缺陷 3.1 缺陷的类型 3.2 点缺陷（point defect） 3.3 固溶体（solid solution） 3.4 非化学计量化合物 （nonstoichiometric compound） 3.5 线缺陷（line defect） 3.6 面缺陷（face defect） 晶体结构缺陷： 晶体点阵结构偏离周期性排列。 Ideal crystal：质点严格按照空间点阵排列。 Actual crystal ：存在各种各样的结构不完整性。 缺陷对材料性能的影响: 导电性、颜色、发光、材料高温动力学过程 3.1 缺陷的类型 分类方式： 　几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷等 　形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等 一、按缺陷的几何形态分类 1. 点缺陷（point defect） 2. 线缺陷（line defect） 3. 面缺陷（face defect） 4. 体缺陷（body defect） 1. 点缺陷（零维缺陷） ? 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。包括： 空位（vacancy） 间隙质点（interstitial particle），亦称为填隙质点 杂质质点（foreign particle）→ 固溶体 ? 晶体中的点缺陷 　　 (a) 空位 (b) 杂质质点 (c) 间隙质点 无机非金属材料概论 C.1 陶瓷结构 点缺陷的作用： 1）对固体的烧结和传质（扩散）有很大的影响 　 如无液相的参与，原材料的晶格位置缺陷密度越髙，固体烧结越好。 　 空位密度影响扩散，影响固相反应和烧结。 　 2）材料长期使用后会产生新的点缺陷，成为材料疲劳 的起始点 　 3）热缺陷造成局部不平衡电场的存在，在外电场作用 　 下会导电，这对陶瓷及半导体电绝缘有重要意义。 　 此外热缺陷会使晶体变色 ,间隙离子能阻止晶格面相互滑移，使晶体强度增加。 2. 线缺陷（一维缺陷） 　 指在一维方向上偏离理想晶体周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。 如：各种位错（dislocation）。 线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。 3. 面缺陷（二维缺陷） 指在二维方向上偏离理想晶体周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。 如：表面、晶界、堆积层错、镶嵌结构等。 面缺陷－晶界（grain boundary）（a）倾斜晶界（tilt boundary ）；（b）扭转晶界（twist boundary ） 面缺陷－堆积层错面心立方晶体中的抽出型层错(a)和插入型层错(b) 面缺陷－共格晶面 4. 体缺陷（三维缺陷） 指在局部的三维空间偏离理想晶体的周期性、规则性排列而产生的缺陷。 如第二相粒子团、空位团等。 体缺陷与物系的分相、偏聚等过程有关。 二、按缺陷产生的原因分类 1. 热缺陷（thermal defect） 2. 杂质缺陷（ foreign defect） 3. 非化学计量缺陷 （ nonstoichiometric defect） 1. 热缺陷 指由于热起伏所产生的空位或间隙质点（原子或离子），亦称为本征缺陷。 热起伏：指能量的不均衡，质点中总有一部分高能质点能够克服周围质点对它的束缚而跃迁； 热缺陷的产生和复合始终处于一种动态平衡。 （1）热缺陷类型 1）弗仑克尔缺陷（Frenkel defect） 1926年由Frenkel发现并提出。 形成机制：正常晶格质点跃入间隙位，在原晶格结点则出现空位。见图（a）。 特点：空位和间隙质点成对出现； 晶体体积不发生改变。 热缺陷产生示意图 （a）弗仑克尔缺陷的形成（空位与间隙质点成对出现） （b）单质中的肖特 基缺陷的形成 2）肖特基缺陷（Schottky defect） 1934年由Schotteky发现并提出。 形成机制：质点跃迁至表面形成新的结点，而在晶体内部留下空位。见图3-1-6（b）。 特点：晶体中只有空位；