功率器件封装工艺(公司最新)课件.ppt

热阻的工艺控制 —测试筛选 晶体管的热阻测试原理： 在一定范围内pn结的正向压降Vbe 的变化与结温度的变化△T有近似线性的关系： △Vbe＝k△T 对于硅pn结，k约等于2，热阻的计算公式为： Rth＝△T/P 只需加一个稳定的功率，测量晶体管的△Vbe即可计算出晶体管的热阻 RT。 * 热阻测试筛选设备的优点 进行热阻测试筛选，我们用的是日本TESEC的△Vbe测试仪 。 * 热阻测试筛选设备的优点 △Vbe测试仪的性能参数及优点： 测试精度：0.1mV 脉冲时间精确度：1us 最高电压：200V 最大电流：20A 优点： 1.精度高，且精度高可达到0.1mV，重复性好。 2.筛选率高 * 热阻测试筛选设备的优点 优点2：筛选率高 如粘片有空洞，脉冲测试在很短功率脉冲内，由于热量来不及传导，有空洞的地方就会形成一个热点（即温度比粘结面其他地区高出很多的小区域）（如右图示 ）。 热点处温度高，Vbe将比其他地方的Vbe变化大。整个pn结的△Vbe将主要受热点处的△Vbe的影响，因此，有空洞的管子的△Vbe比正常管子的△Vbe要大很多。 * 我公司产品的热阻特点 通过测量△Vbe，再经过公式 Rth＝ △Vbe /KP 我公司典型产品值： 品种 封装形式 热阻值 MJE13001 TO-92 6.5℃/W MJE13003BR TO-126 3.5℃/W MJE13005 TO-220 1.3℃/W * 控制“虚焊” —造成虚焊的因素与对策措施 因素 技术要求 对策措施 引线材料 抗拉强度、延伸性良好，硬度适中。 1、严格执行公司的原材料进料检验制度。 2、不定期上供应商生产线考察质量体系进行情况。 劈刀 1、劈刀端面平整，与引线形变后尺寸一致。 2、确保劈刀端面有合适的振幅。 1、定期清洗劈刀，保证端面清洁完整。 2、劈刀安装位置准确，高度合适。 芯片铝层质量 铝层不氧化，无划伤，具有一定厚度 加强表面镜检，剔除不合格品。 引线强度不够 不同的线径，规定不同的工艺条件，压力 、功率、时间。 1、在N2保护中压焊。 2、专职检验员，每隔1h巡检一次。 3、引线强度的 -R管理图。 框架管脚质量 1、管脚牢固、平整。 2、管脚锡层光亮平整、不氧化。 3、高温老化后锡层不变色。 1、调整塑封工艺，以达到充分填充。 2、加强浸锡前，管脚处理。 3、老化烘箱采用N2保护。 _ X * 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 公司功率器件封装工艺 2 主要内容 主要内容介绍 一、功率器件后封装工艺流程 二、产品参数一致性和可靠性的保证 三、产品性价比 四、今后的发展 * 功率器件后封装工艺流程 划片 粘片 压焊 塑封 老化 打印 管脚上锡 测试 切筋 检验 包装 入库 Die bonding Die saw wire bonding molding marking Heat aging plating segregating Testing Inspection Packing Ware house * 功率器件后封装工艺流程 ——划片 划片 圆硅片 划片及绷片后的圆片 划片：将圆片切割成单个分离的芯片 划片特点：日本DISCO划片机，具有高稳定性，划片刀的厚度25um，芯片损耗小。 * 日本DISKO划片机 功率器件后封装工艺流程－划片车间 * 功率器件后封装工艺流程 ——粘片 （将单颗芯片粘结到引线框架上） 实物图 划片 粘片 压焊 塑封 打印 * 我公司粘片的特点 1、自动粘片机，芯片和引线框架的粘结牢固，一致性好。 2、优质的框架及焊接材料使用，获得良好的热学和电学特性。 3、芯片与框架的热匹配性良好，芯片和框架之间的应力达到最小，热阻小，散热性好。 4、氮氢气体保护，避免高温下材料氧化。 * 功率器件后封装工艺流程——粘片车间 粘片员工在认真操作 * 功率器件后封装工艺流程——粘片车间 全新的TO-220粘片机 * 功率器件后封装工艺流程-压焊 压焊：用金丝或铝丝将芯片上的电极跟外引线（框架管脚）连接起来。 金丝－金丝球焊 铝丝－超声波焊 压焊示意图 划片 粘片 压焊 塑封 打印 * 压焊的特点 1、自动压焊机，一致性好，焊点、弧度、高度最佳，可靠性高。 2、根据管芯的实际工作电流选择引线直径规格，保证了良好的电