MEMS 实验 使用L-Edit画PMOS布局图.doc

XXXXXXXX大学（MEMS）实验报告 实验名称 使用 L-Edit 画PMOS 布局图 实验时间 年 月 日 专 业 姓 名 学 号 预 习 操 作 座 位 号 教师签名 总 评 一、实验目的： 1、熟悉版图设计工具L-Edit的使用方法，并且能正确的使用这些工具； 2、掌握版图设计的设计规则； 3、能运用L-Edit 实现器件的布局图，以PMOS与NMOS设计为例； 二、基本原理： 1、CMOS器件的制作工艺 2、PMOS器件和NMOS器件的版图 实验原理截图： （1）PMO版图设计原理图： （2）CMOS版图设计原理图： 3、设计版图时的注意事项： （1）L-Edit编辑环境是预设在P型基板上，故在P型基板上制作PMOS的第一步是需要做出N Well区，即需设定N阱区；然而对于NMOS则不需要N Well群区。此外在设计版图时，需要将图绘制在原点之上，否则不利用版图截面的观察。 （2）改变图形大小的方法：“alt+鼠标拖动边框”；移动图形的方法“alt+鼠标拖动图形”； （3）绘制各图层之前需先通过Tools---DRC Setup查看对应的设计规则，从而选择确定图层的大小；绘制完一个图层都需DRC 进行设计规则检查； （4）各图层绘制无先后顺序的规定； （5）绘图时可适当使用“尺子”功能,以确保版图设计的对称性；清除图中的“尺寸”使用“View---Objects---Rules”或者选中后删除。 （6）对版图设计时，要注意时刻遵循设计规则，否则会出错误。 （7）对版图进行截面观察时，应注意选择好文件的路径，并且要设置好适当的界线位置。 三、实验内容及步骤： （1）打开 L-Edit 程序。 （2）另存新文件：选择 File---Save As命令，打开“另存为”对话框，在“保存在”下拉列表框中选择存储目录，在“文件名”文本框中输入新文件名称，例如：exp3。 （3）取代设定：选择File---Replace Setup命令，单击出现的对话框的From file 下拉列表右侧的 Browser按钮，择…:\LEdit83\Samples\SPR\example1\lights.tdb文件，再单击 OK 按钮，就可将 lights.tdb 文件的设定选择性应用在目前编辑的文件，包括格点设定、图层设定等。 （4）编辑组件：L-Edit编辑方式是以组件(Cell)为单位而不是以文件(File)为单位的，每一个文件可有多个Cell，而每一个Cell可表示一种电路布局图或说明，每次打开新文件时自动打开一个Cell并将之命名为Cell0，其中，编辑画面中的十字为坐标原点。 （5）设计环境设定：选择Setup命令，打开Design对话框。在Technology选项卡中设定1个Lambda为1000个Internal Unit,也设定1个Lambda等于1个Micron；选择Grid选项卡，其中包括使用格点显示设定、鼠标停格设定与坐标单位设定，在Grid display选项组中设定 1个显示的格点(Displayed grid)等于 1个坐标单位(Locator unit),在Suppress grid less than文本框中设定当格点距离小于8个像素(pixels)时不显示；在Cursor type选项中设定鼠标光标显示为Smooth 类型，在Mouse snap grid文本框中设定鼠标锁定的格点为0.5个坐标单位(Locator Unit)，在One Locator Unit文本框中设定1个坐标单位为1000个内部单位(Internal Units)。设定结果为1个格点距离等于1个坐标单位也等于1个Micron。 （6）选取图层：在画面左边有一个Layers面板，其中有一个下拉列表，可选取要绘制的图层，例如，Poly，则 Layers 面板会选取代表 Poly 图层的红色。在 L-Edit 中的 Poly 图层代表制作集成电路中多晶硅(Poly Silicon)所需要的光罩图样。绘制 PMOS 布局图会用到的图层包括N Well 图层、Active图层、N Select图层、P Selec