模块二(一)三极管.ppt

* 半导体三极管 晶体三极管的结构符号和类型简介 晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管的U－I特性曲线 晶体三极管的主要参数 一、晶体三极管的结构符号和类型简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 一、晶体三极管的结构符号和类型简介 (a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号 结构和符号 结构特点： 1、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度 2、基区很薄 3、集电结面积比发射结大 说明 三极管并不等于两个二极管的简单组合，发射极和集电极不能颠倒使用。 型号 第一部分：用数字表示器件的电极数目 第二部分：用英文字母表示器件的材料和极性 第三部分：用拼音字母表示器件的类型 第四部分：用数字表示器件的序号 第五部分：用英文字母表示规格号 分类 1、依据制造材料的不同，分为锗管和硅管。 硅管受温度影响小，性能稳定，应用较为广泛。 2、依据三极管内部结构的不同，分为NPN型和PNP型两类。 硅管多为NPN型，且采用平面工艺制造；锗管多为PNP型，且采用合金工艺制造。 3、依据三极管的工作频率不同，分为高频管（工作频率 ≥3 MHz)和低频管（工作频率3 MHz） 4、依据功率不同，分为小功率管（耗散功率1W）和大 功率管（耗散功率≥1W）。 5、依据用途不同分为普通管和开关管。 集成电路中典型NPN型BJT的截面图 一、晶体三极管的结构简介 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏 二、晶体三极管的电流放大作用 1. 内部载流子的传输过程（以NPN为例） 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 IE=IB+ IC 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= InC+ ICBO 通常 IC ICBO ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。 IE=IB+ IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程 ? 是电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。 根据 IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO 且令 ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流） 2. 电流分配关系 3. 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 三、 BJT的U-I 特性曲线 iB=f(uBE)? uCE=const (2) 当uCE≥1V时， uCB= uCE - uBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的uBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 共射极连接 饱和区：iC明显受uCE控制的区域，该区域内，一般uCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(uCE)? iB=const 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， uBE小于死区电压。 放大区：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 三、 BJT的V-I 特性曲线 (1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? uCE=const 1. 电流放大系数 四、 BJT的主要参数 与iC的关系曲线 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?uCE=const 1. 电流放大系数 (3) 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈