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从沙子到晶圆 VQA/ 池 勇 2015.01.04 沙子变晶圆，这下发财了！ 沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO2)的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。 从沙子到硅 注：冶金级硅(纯度98%) 硅矿冶炼 ——用碳加热硅石来制备冶金级硅 硅的纯化I ——通过化学反应将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷 硅的纯化II ——利用西门子方法，通过三氯硅烷和氢气反应来生产电子级硅 注：电子级硅(纯度99.9999999%) 晶体生长 ——把多晶块转变成一个大单晶，并给予正确的定向和适量的N型或P型掺杂，叫做晶体生长。 ——有三种不同的生长方法：直拉法和区熔法 一、直拉法 —— CZ法（切克劳斯基Czchralski）：把熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成N型或P型的固体单晶硅锭。 大部分的单晶都是通过直拉法生长的。生产过程如图所示。 直拉法步骤 引晶(下种) ：籽晶预热10’，在多晶硅熔化后，提升坩埚到拉晶位置，使熔硅位于加热器上部。把籽晶下降到液面上方几毫米处，稍等片刻，让溶液温度稳定，籽晶温度升高后，使籽晶与液面接触，这一步通常称为下种。它是能否获得单晶的关键。籽晶、坩埚转速分别为15和8r/min。调节料温，合适温度下，籽晶可长时间与熔体接触，不进一步熔化、也不生长。 收（缩）颈 缩颈是指开始拉晶时，拉一段直径比籽晶略细的部分。缩颈的作用在于避免生成多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。一般来说，快速缩颈对降低位错有一定效果。开始时籽晶提升 ，籽晶慢慢向上提，观察弯月面形状，若合适，开始将籽晶慢慢向上提升，并逐渐增大拉速到3.5mm/min以上，收颈部的直径约为2~3mm，长度应大于20mm。 细而长的颈部有利于抑制位错从籽晶向颈部以下晶体延伸。 直拉法步骤 放肩---收颈到所要求长度（大于十毫米）后，略降低温度，降低15-40℃，拉速0.4mm/min让晶体逐渐长大到所需直径，尽可能长成平肩此过程称放肩。 收肩---当肩部直径约比需要的单晶小3-5mm时，拉速调至2.5mm /min，同时坩埚自动跟踪， 让熔硅液始终保持在相对固定的位置上。 等径生长---放肩到所需直径后，即可升高温度，使直径保持一定进行生长，这一过程通常称为等径生长。等径生长通常恒定拉速以使直径大小均匀，拉速→1.3～1.5 mm /min，生产中大多采用自动控制等径生长 。 收尾---等径生长后往往拉成一个锥形尾部，以减少位错的产生与攀移。当料剩1.5Kg左右时停止坩埚跟踪，选取等径生长最后两小时的平均拉速，逐渐升温，使尾部成为锥形。料要拉完，否则冷却时，剩料会使坩埚破裂。 二、区熔法 -----把掺杂好的多晶硅棒铸在一个模型里，固定籽晶的一端然后放进生长炉中，用射频线圈加热籽晶与硅棒的接触区域，调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动，通过整根棒料，生长成一根单晶，晶向与籽晶的相同 主要用来生长高纯、高阻、长寿命、低氧、低碳含量的晶体，但不能生长大直径的单晶，并且晶体有较高的位错密度。这种工艺生长的低氧单晶主要使用在高功率的晶闸管和整流器上 两种方法的比较 查克洛斯基法是较常用的方法 价格便宜 较大的晶圆尺寸 (直径300mm ) 晶体碎片和多晶态硅再利用 区熔法 纯度较高(不用坩埚) 价格较高, 晶圆尺寸较小 (150 mm) 分离式功率组件 ---产生于晶体生长和后面的硅锭(生长后的单晶硅）和硅片的各项工艺中。 在硅中主要普遍存在的缺陷形式有：点缺陷、位错和原生缺陷（层错） 晶体缺陷 点缺陷 ---晶体内杂质原子的挤压晶体结构引起的应力所产生的缺陷. 最常见的点缺陷是空位缺陷、间隙原子缺陷和弗仑克尔缺陷 空位缺陷：在晶格位置缺失一个原子 间隙原子缺陷：一个原子不在晶格位置上，而是处在晶格位置之间 弗仑克尔缺陷：填隙原子是原子脱离附近晶格的位置形成的，并在原晶格位置处留下一个空位，这种空位和填隙的组合称为弗仑克尔缺陷 位错 晶体缺陷 ——晶内部一组晶胞排错位置所制。在这种缺陷中，一列额外的原子被插入到另外两列原子之间。分为原生为错和诱生为错。 a.原生位错是晶体中固有的位错 b.诱生位错是指在芯片加工过程中引入的位错，其数量远远大于原生位错。 原生缺陷（层错） ---又称面缺陷或体缺陷，层错与晶体结构有关，经常发生在晶体生长的过程中。滑移就是一种层错，沿着晶体平面产生的晶体滑移。层错要么终止于晶体的边缘，要么终止于位错线。 一、晶体整形--- 用锯截掉头和尾 整形研磨 二、径向研磨---在晶体生长过程中，整个晶体长度中直径是有偏差的。滚磨到所需的直径。 三、化学腐蚀---滚磨后，单晶体表面存在严重的机械损伤，需要用化学腐蚀的方法加以除去。 化学腐