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浅析平面型IGBT结构和应用特点 　　【摘要】本文分析了平面型IGBT的不同制造工艺和技术，分别介绍了平面穿通型、平面非穿通型和场平面截止型的结构和特点，并对其主要参数和性能进行了相应分析。对比介绍了不同平面类型IGBT的优缺点和应用场合。 　　【关键词】平面型;IGBT;工艺;适用范围 　　随着电子工艺的发展，IGBT在研究和制作中出现了不同的类型和结构，平面型IGBT作为常用的类型在研究设计和生产中具有广泛的应用，本文研究了不同种类的平面型IGBT，并对其结构和应用特点做出了详细说明。 　　IGBT是在功率MOSFET的基础上增加了一层P半导体，构成NPNP的结构，实现类似于大电流三极管与MOSFET并联的结构形式，并且在设计中，采用MOSFET的D极连接二极管到C极的结构形式。 　　平面型IGBT主要有平面穿通型、平面非传统型和平面场截至型三种不同的结构类型。 　　1.平面穿通型IGBT 　　平面穿通型IGBT是采用先制作三极管，然后连接MOSFET的制作流程。以P型半导体为基础，依次生长出N缓冲区、N外延层，然后制作P型区和N型区的制造工艺。穿通型IGBT衬底厚度大，在降低导通压降的设计中，采用了衬底P层高掺杂，高注入效率，同时也带来了过剩的载流子，减缓了关断的速度，容易形成电流拖尾，造成大的损耗。 　　对于三极管中少数载流子需要把基区宽度压缩到扩撒长度以下，实现较大的电流放大系数和电流通过能力，这就要求少数载流子寿命能够足够的长，才能实现基区中尽量少的少子完成三极管相应的工作能力。在内部的P区的少数载流子能够穿透N型的基极区，形成内部P区到P型集电极区的同路，因此将这种结构成为平面穿通型结构。 　　在平面穿通型结构中，内部P区中的N区，形成三极管结构的基极区，N型基极区为了能够实现较小的导通压降，需要使用比较小的厚度。厚度的减小，实现了内部P区的少数载流子穿过N型基极区到达P型集电极区，同样也会带来在关断过程中的电流拖尾现象，并且影响开关损耗，在设计过程中，采用增加中间缓冲层的方式可以有效减小电流拖尾和开关损耗。 　　在具有高掺杂浓度的集电结，容易产生大量的空穴注入到N型基极区，形成强的电导调制，实现低的导通电压，同样也是在关断期间，电子几乎全部在N型基极区，无法流出，形成了对电子而言非透明的集电极区。 　　解决问题的方法是采用辐射技术控制少子寿命，能够有效降低电流拖尾的情况，同时也带来了IGBT的负温度系数，限制了在大功率用电器上的使用。严重者会带来内部集成晶闸管引起电闩锁效应，损坏IGBT。 　　2.平面非穿通型IGBT 　　平面非穿通型IGBT采用与平面穿通型IGBT不同的制作方法和流程。平面非穿通型IGBT首先制作MOSFET，在此基础上制作三极管。采用N型半导体作为基础，依次制作P型区和N型发射极区。可以实现在硅片背面采用打磨等方式，利用注入的方法，制作非常薄的p型集电极区。这种方式可以精确控制掺杂浓度，实现导通压降的精确控制，降低漂移区的载流子浓度，进而能够降低开关损耗、减小电流拖尾效应，能够工作在较高的频率范围。 　　比较薄的P型集电极，留给了内部N型区域足够的空间增加厚度，实现耐压值的提升，同时比较宽的N型基极区能够有效降低P型半导体中少子的穿越，因此降低了电流拖尾和开关损耗，同时提高了工作频率。这种限制了P型区中少子穿越N型基极区的结构，成为非穿通型IGBT结构。 　　在比较厚的N型基极区中，有效提升了耐压值，也使得导通损耗相应的增大，相比较而言在这样的结构中，可以有效降低NPN型晶体管的增益，并且在随着温度变化过程中，晶体管的增益变化和少子的寿命变化幅度更小，使得非穿通型IGBT温度特性稳定，能够承受雪崩电压和抗短路的能力有所提升。 　　3.平面场截止型IGBT 　　相对于非穿通型IGBT较宽的N型基极区域，平面场截至型IGBT采用改变内部电场分布的方式，实现耐压值等参数保持不变的情况下，有效降低N型基极区的厚度。这种方法是将非穿通型IGBT中三角形分布电场转换成梯形分布电场，能有效降低N型基极区厚度，并保障耐压参数和导通压降降低。 　　平面场型IGBT在制造工艺上是在减薄的背面覆盖一层重掺杂的截止层，实现将掺杂浓度压缩到非常窄的场截止层，使得电场强度快速下降为0，由于场截止层具有很小的尺寸，在其中电场强度的降低通常能够忽略，实现导通损耗低，饱和压降小和较低的开关损耗。虽然场截止层具有较好的非穿透型的优点，如开关速度高、拖尾电流低、高温特性优异等，但是在制造工艺上，这种结构薄度较小，加工生产难度大。 　　4.对IGBT的影响不同结构参数 　　不同结构的IGBT在产品参数、性能、功耗等方面具有不同的特点。在研究IGBT的过程中，还需要注意一些影响IGB