半导体制程概论ch02课程.pptVIP

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm Chapter 2積體電路生產的簡介 Hong Xiao, Ph. D. hxiao89@ 目標 定義極解釋良率的重要性 描述無塵室的基本佈局圖. 解釋無塵室協議規範的重要性 列出在積體電路製程的四種基本操作方式 列出至少六種在積體電路生產廠房內的製程區間名稱 解釋晶片封裝的目的 描述標準的打線接合製程與覆晶接合製程 積體電路生產流程 生產廠房的成本 生產廠房的成本非常高，八吋晶圓的生產廠房成本 $1B 無塵室 設備, 每一項工具經常 $1M 材料, 高純度, 超高程度 設施 人員, 訓練和薪酬 晶圓良率 晶粒良率 封裝良率 整體的良率 生產廠房為何賺(賠)錢 成本: 晶圓 (8”): ~$150/晶圓* 處理: ~$1200 ($2/晶圓/步驟, 600步驟) 封裝: ~$5/晶片 銷售: ~200 晶片/晶圓 ~$50/晶片 ( 2000年的低階處理器) 生產工廠如何賺 (賠 ) 錢 100% 良率: 150+1200+1000 = $2350/晶圓 50% 良率: 150+1200+500 = $1850/晶圓 0% 良率: 150+1200 = $1350/晶圓 100%良率: 200?50 = $10,000/晶圓 50%良率: 100?50 = $5,000/晶圓 0%良率: 0?50 = $0.00/晶圓 100%良率: 10000 - 2350 = $7650/晶圓 50%良率: 5000 - 1850 = $3150/wafer 0%良率: 0 - 1350 = ? $1350/晶圓 Question 假如積體電路製造的每一道製程步驟的晶粒良率都是99%，而且共有600道製程步驟，試問整體的晶粒良率是多少? 解答 相當於99% 自乘600 次 0.99600 = 0.0024 = 0.24% 幾乎沒有良率可言!! 生產量 可以生產的晶圓數量 生產工廠: 晶圓 / 月 (典型值 10,000) 工具: 晶圓 / 小時 (典型值 60) 高良率, 高產量 缺陷與良率 良率和晶粒尺寸 晶圓產品的解說 晶圓產品的解說 無塵室 低粒子數的人造環境 最初的無塵室是為了醫院手術房而建的 粒子是良率的殺手 積體電路製造必須在無塵室中進行 無塵室 最初的無塵室是為了醫院手術房而建的 1950年之後半導體工業採用本項技術 越小的圖形尺寸就需要純淨度更高的無塵室 粒子數越少，造價越高 無塵室等級 等級 10：每立方英尺內其直徑大於0.5微米的微粒數目必須小於10顆 等級 1 ：每立方英尺內其直徑大於0.5微米的微粒數目必須小於1顆 0.18 mm 元件需要高於等級1以上的無塵室 無塵室等級 依聯邦標準209E定義所制定之空氣含微粒子的潔凈等級表 光罩上粒子污染效應 粒子污染的效應 無塵室結構 最少化微粒環境 等級1000的無塵室, 較低的成本 董事長會議室的安排方式,製程和設備之間無牆面阻隔 在晶圓和製程工具的周圍環境較等級1佳 製程工具間晶圓轉移自動化 最少化微粒環境的無塵室 更衣區 積體電路製程流程圖 半導體生產工廠的平面圖 半導體生產工廠基本平面圖 濕式製程 水平爐管 垂直爐管 軌道步進機整合示意圖 具備蝕刻和光阻剝除反應室的群集工具 具備介電質化學氣相沉積(CVD)及回蝕刻反應室的群集工具 具有氣相沉積(PVD)反應室的群集工具 乾進、乾出多研磨頭的化學機械研磨(CMP)系統 製程區和設備區 測試結果 晶片接合結構 打線接合製程 打線接合製程 帶有接合墊片的積體電路晶片 IC晶片封裝 具有金屬凸塊的積體電路晶片 覆晶封裝 凸塊接觸 加熱和凸塊融熔 覆晶封裝技術 塑膠封裝的封膠空腔截面圖 陶瓷封裝 概要 整體良率 良率決定生產工廠的盈虧 無塵室和無塵室協議規範 製程區間 製程, 設備, 以及設備區 晶粒測試, 晶圓薄化, 晶粒分離, 晶片封裝, 以及最後測試 乾燥 蝕刻、光阻塗佈或清洗 沖洗 中心帶區 平帶區 距離 溫度 加熱線圈 石英管 氣流 晶圓 製程反應室 晶圓 塔狀承座 加熱器 加熱平台 底層塗佈反應室 冷卻平台 冷卻平台 自旋塗佈站 顯影站 步進機 晶圓移動方向 晶圓 轉換室 光阻剝除反應室 裝載站 蝕刻反應室 光阻剝除反應室 蝕刻反應室 卸載站 機械手臂 轉換室 裝載站 PECVD反應室 O3-TOES 反應室 卸載站 機械手臂 Ar 離子濺射室 轉換室 裝載站 Ti/TiN反應室 Al?Cu反應室 卸載站 機械手臂 Al?Cu反應室 Ti/TiN反應室 晶圓裝載及等待位置 CMP後段清潔位置 清洗位置 乾燥及晶圓卸載位置 多研磨頭研磨機 研磨襯墊 清潔機台 研磨頭