第三章微型计算机中的存储器课稿.ppt

第三章 存储器 半导体存储器的分类及性能指标 RAM ROM 存储器的扩展 半导体存储器 磁介质存储器（外存） 光存储器 双极型：存取速度快，但集成度低，功耗大、成本 高，一般用于大型计算机或高速微机中； MOS型 掩膜ROM 一次性可编程PROM 紫外线可擦除EPROM 电可擦除E2PROM 可编程只读存储器FLASH 读写 存储器 RAM 只读 存储器 ROM （按读写功能分类)（内存） （按器件原理分类） 静态SRAM 动态DRAM： 集成度高但存取速度较低， 一般用于需要较大容量的场合。 集成IRAM：将刷新电路集成在DRAM内 速度较快，集成度较低，功耗较高，一般用于对速度要求高、而容量不大的场合。 (按存储原理分类) 按 存 储介质分类 3.1半导体存储器的分类及性能指标 一、半导体存储器分类 二、性能指标 存储器的职能就相当于计算机中各部分的“信息交换中心”和“数据仓库”。因此存储器的“速度”和“容量”便成为计算机系统性能的两项重要指标，也是推动存储器不断发展的两个主要因素。 1、存储容量 存储容量=单元数×数据位数 即字数×字长 通常以KB（210B）、MB （220B） 、GB （230B ）、TB （240B）为单位。 2、存取时间、存取周期 存取时间：CPU访问一次存储器所需的时间 存取周期：连续两次访问存储器所需最小间隔时间 3、可靠性 4、功耗 5、价格 3.2 随机存取存储器 3.2.1 SRAM 一、基本存储电路 行选择线 T1 T2 A B T3 T4 +5V T5 T6 C D 列选择线 T7 T8 I/O I/O T1和T2组成一个双稳态触发器，用于保存数据。T3和T4为负载管。 如A点为数据D，则B点为数据/D。 行选择线有效（高电 平）时，A 、B处的数据信息通过门控管T5和T6送至C、D点。 列选择线有效（高电 平）时，C 、D处的数据信息通过门控管T7和T8送至芯片的数据引脚I/O。 基本存储电路简化图 SE Do Di 它可存储一位信息 由若干个基本电路采用同一根选择线，可以组成一个基本存储单元 Do2 Di2 Do1 Di1 SE Do0 Di0 Do7 Di7 它每次可以存储或读出8位信息 由若干个存储单元可以组成一个芯片 A0～Ak 片 内 译 码 电 路 存储单元 存储单元 存储单元 SE0 SE1 SEi D0～D7 R/W 由若干个芯片可扩展内存（存储体） N—所需芯片个数 为了减小体积，芯片内部通常采用矩阵式结构 二、SRAM的典型芯片 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CS1、CS2 读写WE、OE +5V WE CS2 A8 A9 A11 OE A10 CS1 D7 D6 D5 D4 D3 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 功能表 6264 工作方式 CS1 CS2 WE OE D7～D0 未选中 未选中 读操作 写操作 1 × 0 0 × 0 1 1 × × 1 0 × × 0 1 高阻 高阻 输出 输入 6264功能表 返回 3.2.2 DRAM 一、基本存储电路 行选择线 T1 B 存储电容C A 列选择线 T2 I/O 刷新放大器 电容上存有电荷时，表示存储数据A为逻辑1； 行选择线有效时，数据通过T1送至B处； 列选择线有效时，数据通过T2送至芯片的数据引脚I/O； 为防止存储电容C放电导致数据丢失，必须定时进行刷新； 动态刷新时行选择线有效，而列选择线无效。（刷新是逐行进行的。） 集成度高，但速度较慢，价格低，一般用作主存。 DRAM的基本存储单元是单个场效应管及其极间电容 必须配备“读出再生放大电路”进行刷新 每次同时对一行的存储单元进行刷新 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 DRAM一般采用“位结构”存储体： 每个存储单元存放一位 需要8个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址 NC DIN WE RAS A0 A2 A1 VDD NC CAS DOUT A6 A3 A4 A5 VCC 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 存储容量为16K×1 16个引脚： 7根地址线A6～A0 1根数据输入线DI