专用集成电路教学第二章课程.ppt

2-3版图设计技术 三、版图设计规则 以λ为基准的版图规则对以下几种掩膜层几何参数进行定义： ⊙有源区或薄氧化层?? ⊙ P阱或N阱?? ⊙多晶硅 ⊙ P+区或N+区?? ⊙各个不同区域的接触孔 ⊙金属连接线 2-3版图设计技术 三、版图设计规则 例：有源区或薄氧化层区设计规则 2.1有源区最小宽度 2.2有源区最小间距 2.3源、漏到阱的边缘最小间距 2.4衬底、阱的接触有源区到阱边缘的最小距离 2.5 N+-P+之间的最小距离 有源区或薄氧化层区设计规则图示 2-3版图设计技术 四 版图检查与验证　　版图检查和验证主要包括：① 设计规则检查(DRC)；② 电气规则检查(ERC)；③ 版图与电路图的一致性检查(LVS)；④ 版图参数提取(LPE)及后仿真验证。其过程如下图 所示 2-3版图设计技术 版图检查和验证 2-4电参数设计规则 一、电阻值的计算 1、薄层电阻（方块电阻） ρ 导电材料的电阻率 L 矩形薄层电阻长度 矩形薄层电阻 W 矩形薄层电阻宽度 t 矩形薄层电阻厚度 定义：方块电组 R□=ρ/t，则 通过方块电阻的概念就把版图几何尺寸和工艺纵向参数分开了 2-4电参数设计规则 1、薄层电阻（方块电阻） 0.5μm～1μm MOS工艺中常用材料的方块电阻一、电阻值的计算（单位Ω/□） 材料 最小值 典型值 最大值 互连金属 0.05 0.07 0.1 顶层金属 0.03 0.04 0.05 多晶硅 15 20 30 硅-金属化合物 2 3 6 扩散层（N+，P+） 10 25 100 硅化合物扩散 2 3 10 N阱（或P阱） 1k 2k 5k 2-4电参数设计规则 一、电阻值的计算 2、非矩形电阻的计算 图（a）所示电阻形状有相应的公式可计算它的相对电阻 非矩形电阻估算（虚线为电流的出入口） 2-4电参数设计规则 一、电阻值的计算 2、非矩形电阻的计算 图（b）所示电阻形状的相对电阻可用下页表进行估算 非矩形电阻估算（虚线为电流的出入口） 2-4电参数设计规则 一、电阻值的计算 2、非矩形电阻的计算——把所要考虑的形状划分成简单的可以计算出电阻值的几个区非矩形电阻估算取值 形状 比值 相对阻值 （a） 1 5 1 5 （b） 1 1.5 2 3 2.5 2.55 2.6 2.75 （c） 1.5 2 3 4 2.1 2.25 2.5 2.65 形状 比值 相对阻值 （d） 1 1.5 2 3 2.2 2.3 2.3 2.6 （e） 1.5 2 3 4 1.45 1.8 2.3 2.65 非矩形电阻估算取值表 2-4电参数设计规则 一、电阻值的计算 3、沟道电阻 MOS管的伏安特性通常是非线性的，为了估算它的性能，用“沟道电阻”来近似它的行为: 对于N沟和P沟MOS管，k的值一般在10000 ～30000 Ω/ □ 。μ是载流子的表面迁移率。μ和UT都是温度的函数。所以，沟道电阻、开关时间和功耗都随温度而变化。一般温度每增加1℃ ，沟道电阻大约增加25%。 2-4电参数设计规则 二、MOS电容 集成电路器件结构中导电层以绝缘介质隔离就形成了电容。MOS集成电路中寄生电容主要包括MOS管的寄生电容以及由金属、多晶硅和扩散区连线形成的连线电容。 1、MOS电容特性 MOS结构电容的特性，与栅极上所加电压紧密相关，这是因为半导体的表面状态随栅极电压的变化可处于积累层、耗尽层、反型层三种状态。 二、MOS电容 ⑴、积累层 对P型衬底材料上的N型MOS器件，当Vg0时，栅极上的负电荷吸引衬底中的空穴向硅的表面，形成积累层。这时，MOS器件的结构就象平行平板电容器，栅极和高浓度空穴积累层分别是平板电容器的两个极板。 式中ε0是真空介电常数， εox是SiO2的相对介电常数，其值是3.9， tox是SiO2层的厚度，A是栅极的面积。 Vg0 二、MOS电容 ⑵、耗尽层 当0VgVT时，在正的栅电压的作用下，衬底中的空穴受到排斥而离开表面，形成一个多数载流子空穴耗尽的负电荷区域，即耗尽层。 栅极对衬底的总电容相当于栅氧化层电容和耗尽层电容的串联。 d是耗尽层深度，它随Vg的增加而增加； εsi是硅的相对介电常数. 0VgVT 二、MOS电容