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外 文 翻 译 题 目：反应时间对CIS粉体制备影响研究 学 院: 化学与材料工程学院 专　　业: 材料科学与工程 班　　级: 0 9材料 姓 名: 陈伟超 学 号: 09111003105 指导老师: 刘 海 涛 快速热处理RTP)制备CuInS2太阳能电池 Kai Siemer, Jo Klaer, Ilka Luck, Ju Krgen Bruns, Reiner Klenk,Dieter BraKunig 通过快速热工艺RTP)制备了CuInS2基太阳能电池。我们用Cu与In金属层硫蒸气中快速加热CuInS2吸收层。从X射线衍射XRD)、扫描电镜缺陷化学光致发光和导纳谱测量进一步分析从这些RTP吸收制备的太阳能电池=0.5cm2)已经达到11.4％就我们所知，这是最好的CuInS2太阳能电池。 关键词CuInS2；太阳能电池快速热处理工艺 1 介绍 CuInS2是一种很有前途的吸收剂材料的薄膜太阳能电池的发展。最近，我们已经提出了一个顺序与传统的加热过程导致在11.1％的总面积效率的用于玻璃/钼/的CuInS2/ CdS的/ ZnO的细胞结构。对于潜在的商业应用，加工时间短和低的热预算是非常重要的，以满足高吞吐量和低的成本。此外，已报道的硒化物黄铜矿，使用快速热过程提高通过中间温度范围迅速，可避免作为有害相的晶体生长。在这项工作中，我们使用快速热CuInS2吸收剂的制备过程。两种吸收剂和相应的太阳能电池，其特征在于相对于他们的结构和电子性质。 2 实验的 2.1 样品制备 Cu和In沉积后通过DC磁控溅射浮法镀膜玻璃基板上叠层元素层。所有样本都准备多余的原子[Cu]/[In]=1.8。层的厚度约e铜= 550nm和d=650nm。CuInS2的形成，一个快速热过程中石英管作为反应室在一个定制的卤素灯样品迅速通过辐射加热至约600，并几分钟。加入硫元素处理之前。两个样品中的硫被放置到一个石英的样本保持器。该炉被抽真空，在加热循环中完成。腔室中的压力是由硫的蒸气压因此，只有硫化和硫的量温度和时间是变化的。确定的方法使用镍铬/镍铝热电偶被插入到一个小的石英管炉的中心。为了进行比较，将温度测量用Pt100热电阻直接连接到样品。它表明，样品的温度大约是80，高于用热电偶测得的温度。示出了一个典型的硫化过程中的温度 图?RTP过程中的典型的硫化温度。给出的温度是名义上的，样品温度高达80°C。 图 2，??扫描电镜图片的RTP-CuInS?2吸收层后，氰化物蚀刻（45°倾斜） 图 3，??一个RTP-CuInS?2氰化物蚀刻后的吸收体层的X-射线衍射。数字表示隙宽度的反射除特别注明外。 图 4， PL光谱的RTP-CuInS2吸收层后，在不同的温度下制备的氰化物蚀刻。 在1.2 eV的峰的相对强度相对于激子发射与工艺参数，如示于图4中。随着工艺温度的相对强度的减少，这可以解释由一个增加的晶体质量的宽带发射。相对强度的激子随着过程温度的减少，排放量增加或缺陷密度减少。这是按照观测XRD隙宽度峰的线宽过程温度的增加而减小。PL与过程参数的相同的相关性已被观察到的增加斜率的加热上斜和-轻微程度-增加的处理时间。 作进一步的电子缺陷检查，进行了用于太阳能电池的测量导纳频谱。而我们的属性界面缺陷是一个单一的缺陷，140兆电子伏的水平[5]。 到目前为止，我们还没发现推导出RTP过程中的参数有任何明显的缺陷分布的关系，也没有与任何电气参数RTP-CuInS2型太阳能电池的准入谱。 3.3 太阳能电池的性能 图5a显示出了两个CuInS2在不同的反应体积中制备的太阳能电池的量子效率。为了获得更小的体积的两个样品中的硫覆盖由一个陪替氏培养皿。在约450nm处的吸收在光盘中可以看出。在500和800nm之间的量子效率是在恒定的水平约80％表示穿透深度无关的恒定收集效率。量子效率是急剧降低的吸收器与带边。因此，它是假定的扩散长度是没有限制的收集效率。光谱依赖性是几乎相同的两种细胞，但是，从反应体积小上来看整体水平是向着更高的样品发展的，从而导致更高的效率。图5b中显示出的，如示于图中的相同的太阳能电池的电流-电压测量。正如预期的那样从量子效率的结果，短路电流密度显着较高的样品中制备的小的反应体积。此外，填充因子从约65％增加至70％。这样的结果将样品从反应体积较大的相比在