宽带隙半导体材料和工艺方案.ppt

* 光刻技术 光刻工艺的主要步骤（I）： * 光刻技术 SiC器件制造工艺的重要特点： 1、原料来源的无限性； 2、典型的原料纯化和加工处理过程； 3、对生物圈造成的能量负荷和生态负荷低； 4、可以以基体自身的碳形成本征掩蔽膜，也存在本征氧化物SiO2； * 光刻技术 在SiO2薄膜上形成图形为例 * 曝光工艺 紫外（UV）和深紫外（DUV）光源是目前IC工业上普遍应用的曝光光源 UV曝光的主要方法有： 接触式曝光 接近式曝光 投影式曝光 * 曝光工艺 * 曝光工艺 * 曝光工艺 * 刻蚀 刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目的，是在涂胶(或有掩膜)的硅片上正确的复制出掩膜图形。 在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。 * 刻蚀 Thank You S201502016 彭领 No great discovery was ever made without a bold guess 宽禁带半导体材料和工艺 -----彭领 * WBS需求现状 * 半导体材料的发展 第一代半导体：元素半导体（Si，Ge） 第二代半导体：化合物半导体（GaAs） 第三代半导体：宽禁带半导体（SiC，GaN，金刚石） * 宽禁带半导体材料 宽禁带半导体的优点： 1、禁带宽度大 2、电子