《3陶瓷晶体缺陷.ppt

第3章 无机非金属材料晶体缺陷 3.1 缺陷的类型 3.2 点缺陷（point defect） 3.3 固溶体（solid solution） 3.4 非化学计量化合物 （nonstoichiometric compound） 3.5 线缺陷（line defect） 3.6 面缺陷（face defect） 晶体结构缺陷： 晶体点阵结构偏离周期性排列。 Ideal crystal：质点严格按照空间点阵排列。 Actual crystal ：存在各种各样的结构不完整性。 缺陷对材料性能的影响: 导电性、颜色、发光、材料高温动力学过程 3.1 缺陷的类型 分类方式： 　几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷等 　形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等 一、按缺陷的几何形态分类 1. 点缺陷（point defect） 2. 线缺陷（line defect） 3. 面缺陷（face defect） 4. 体缺陷（body defect） 1. 点缺陷（零维缺陷） ? 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。包括： 空位（vacancy） 间隙质点（interstitial particle），亦称为填隙质点 杂质质点（foreign particle）→ 固溶体 ? 晶体中的点缺陷 　　 2. 线缺陷（一维缺陷） 　 指在一维方向上偏离理想晶体周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。 如：各种位错（dislocation）。 线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。 3. 面缺陷（二维缺陷） 指在二维方向上偏离理想晶体周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。 如：表面、晶界、堆积层错、镶嵌结构等。 面缺陷－晶界（grain boundary）（a）倾斜晶界（tilt boundary ）；（b）扭转晶界（twist boundary ） 面缺陷－堆积层错面心立方晶体中的抽出型层错(a)和插入型层错(b) 面缺陷－共格晶面 4. 体缺陷（三维缺陷） 指在局部的三维空间偏离理想晶体的周期性、规则性排列而产生的缺陷。 如第二相粒子团、空位团等。 体缺陷与物系的分相、偏聚等过程有关。 二、按缺陷产生的原因分类 1. 热缺陷（thermal defect） 2. 杂质缺陷（ foreign defect） 3. 非化学计量缺陷 （ nonstoichiometric defect） （1）热缺陷类型 1）弗仑克尔缺陷（Frenkel defect） 1926年由Frenkel发现并提出。 形成机制：正常晶格质点跃入间隙位，在原晶格结点则出现空位。见图（a）。 特点：空位和间隙质点成对出现； 晶体体积不发生改变。 热缺陷产生示意图 （3）缺陷形成和晶体结构的关系 晶体结构中空隙较小，且正、负离子半径相差较小 → 肖氏缺陷 如，NaCl型：NaCl、MgO、CaO等。 晶体结构中空隙较大，且正、负离子半径相差较大 → 弗氏缺陷 如，金属晶体中：简单立方、体心立方； 离子晶体中：CaF2型结构。 2. 杂质缺陷 （固溶体） 是由外加杂质的引入所产生的缺陷，亦称为组成缺陷或非本征缺陷。 特征：若杂质含量在固溶体溶解度范围内，则杂质缺陷浓度与温度无关，只与杂质含量有关。 杂质缺陷对材料性能的影响：微量杂质缺陷会极大改变基质晶体的物理性质，如：导电性、发光、颜色等。 3. 非化学计量缺陷 （非化学计量化合物） 指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。 实质：由基质晶体与介质中某些组分发生交换而产生，如TiO2-x 、Fe1-xO、Zn1+xO等晶体中的缺陷。 特点:其化学组成和缺陷浓度随周围气氛性质及分压大小而变化，是一种半导体材料。 一、固溶体的分类 （一） 根据外来组元在主晶相中所处位置 —— 置换型固溶体 间隙型固溶体 （二）根据外来组元在主晶相中的固溶度 —— 连续型（无限型、完全互溶型）固溶体 有限型（部分互溶型）固溶体。 （一） 根据外来组元在主