《4.3电荷耦合器件.ppt

4.3 电荷耦合器件 4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理 4.3.2 CCD图像传感器 4.3.3 图像传感器的应用 CCD 4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理 电荷耦合器件的结构和工作原理 有信号电荷的势阱 当MOS电容器栅压大于开启电压UG，周围电子迅速地聚集到电极下的半导体表面处，形成对于电子的势阱。 电荷的存储 电荷的存储 信号电荷转移 CCD的基本功能是存储与转移信息电荷 为实现信号电荷的转换： 1、必须使MOS电容阵列的排列足够紧密，以致相邻MOS电容的势阱相互沟通，即相互耦合。 2、控制相邻MOC电容栅极电压高低调节势阱深浅，使信号电荷由势阱浅处流向势阱深处。 3、在CCD中电荷的转移必须按照确定的方向。 CCD电荷的产生方式： 电压信号注入 CCD在用作信号处理或存储器件时，电荷输入采用电注入。 CCD通过输入结构对信号电压或电流进行采样，将信号电压或电流转换为信号电荷。 光信号注入 CCD在用作图像传感时，信号电荷由光生载流子得到，即光注入 。电极下收集的电荷大小取决于照射光的强度和照射时间。 4．3．2 CCD图像传感器 利用CCD的光电转移和电荷转移的双重功能，得到幅度与各光生电荷包成正比的电脉冲序列，从而将照射在CCD上的光学图像转移成了电信号“图像”。 由于CCD能实现低噪声的电荷转移，并且所有光生电荷都通过一个输出电路检测，且具有良好的—致性，因此，对图像的传感具有优越的性能。 线列和面阵 1. 线阵CCD外形 （2）面型固态图像传感器 2.面阵CCD 面阵CCD能在x、y两个方向都能实现电子自扫描，可以获得二维图像。 CCD的基本特性参数 响应度（光电转换因子）：指输出电信号与输入光信号的能量比，描述传感器的光电转换效率。 光谱特性:表示器件的响应度与入射光波长的关系。 暗电流 分辨率：表示图像传感器分辨图像的能力。取决于光敏单元的间距，通常用CCD光敏单元数来表示。 4．3．3 图像传感器的应用 1．尺寸测量 2． 用于光学文字识别装置 1．尺寸测量 2． 用于光学文字识别装置 线阵CCD在??今不的应用 CCD数码照相机 数码相机简称DC，它采用CCD作为光电转换器件，将被摄物 体的图像以数字形式记录在存储器中。 数码相机从外观看，也有光学镜头、取景器、对焦系统、光 圈、内置电子闪光灯等，但比传统相机多了液晶显示器LCD， 部更有本质的区别，其快门结构也大不相同。 CCD数码照相机的结构 CCD数码摄像机 CMOS图像传感器 CMOS图像传感器是采用互补金属-氧化物-半导体工艺制作的另一类图像传感器，简称CMOS。现在市售的视频摄像头多使用CMOS作为光电转换器件。虽然目前的CMOS图像传感器成像质量比CCD略低，但CMOS具有体积小、耗电量小、售价便宜的优点。随着硅晶圆加工技术的进步，CMOS的各项技术指标有望超过CCD，它在图像传感器中的应用也将日趋广泛。 CMOS视频摄像头的外部结构 * * 上一页 下一页 返 回 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. CCD（Charged Coupled Device，电荷耦合器件）是由一系列排得很紧密的MOS电容器组成。它的突出特点是以电荷作为信号，实现电荷的存储和电荷的转移，而不同于其他大多数器件是以电流或者电压为信号。因此，CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。 CCD有两种基本类型，其一电荷包存储在半导体和绝缘体之间的界面，并沿界面传输，称为表面沟道CCD（SCCD）；另一种电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体内沿一定方向传输，称为体沟道CCD（BCCD）。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. MOS电容的结构 1．金属或多晶硅 2．绝缘层SiO2 上一页 下一页 返 回 CCD是一种固态检测器，由多个光敏像元组成，其中每一个光敏像元就是一个MOS（金属—氧化物—半导体）电容器。CCD中的MOS电容器的形成方法：在P型或N型单晶硅衬底上用氧化办法生成一层厚度约为100～150nm的SiO2绝缘层，再在SiO2表面按一定层次蒸镀一金属电极或多晶硅电极，在衬底和电极间加上一个偏置电压（栅极电压??卓彂成