康华光-电子技术基础(第六版)模拟部分ch04.ppt

4.8.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 4.8.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 4.8.1 JFET的结构和工作原理 ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? iD ? g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? iD基本不变 ? 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 4.8.1 JFET的结构和工作原理 ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， iD的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 综上分析可知 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关