601(第1节半导体基本知识;第2节二极管第3节三极管)汇编.pptVIP

电学 电工学 电子学 电路 电力电子 信息技术 通信技术 声像技术 计算机技术 电磁 静电 电池 照明 电子管 晶体管 集成电路 模拟电子技术 第八章 常用半导体器件 第九章 基本放大电路和集成运算放大器 第六章 常用半导体器件 第一节 半导体基本知识 第二节 半导体二极管 第三节 晶体三极管 返回 一、本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 第一节 半导体基本知识 Si Si Si Si 价电子 本征半导体的导电机理 本征激发:温度 空穴 自由电子 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 ： (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子。 空穴与电子成对出现并可以复合。 二、N型半导体和P型半导体 掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 1.N 型半导体 2.P 型半导体 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为P型半导体。 掺入三价元素 Si Si Si Si 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 4．扩散电流与漂移电流 载流子由于差异而形成运动所产生的电流浓度叫扩散电流。 在电场作用下，载流子定向运动而形成的电流叫漂移电流。 1.PN结的形成 二、PN结 扩散运动 空间电荷区 削弱内电场 漂移运动 内电场 动态平衡 － － － － － － － － － － － － － － － － P 内电场 空间电荷区 扩散运动 漂移运动 N 外电场方向与内电场方向相反 空间电荷区(耗尽层)变薄 扩散＞漂移 导通电流很大 ,呈低阻态 2.PN结的单向导电性 － － － － － － － － － － － － － － － － P N 内电场 外电场 加正向电压（正偏） P（+） N（－） 外电场与内电场相同 耗尽层加厚 漂移＞扩散 形成反向电流IR，很小。呈高阻态 N － － － － － － － － － － － － － － － － P 内电场 外电场 加反向电压（反偏）P（－） N（+） PN结正偏，导通；PN结反偏，截止 第二节 半导体二极管 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的主要参数 二极管图片 一、半导体二极管的伏安特性 + 阳极 阴极 1. 正向特性 正向截止区：电流近似为0. 死区电压： 硅管 0.5V 锗管 0.1V 正向导通区：电流成指数增加。 正向导通压降： 硅管 0.7V 锗管 0.3V i (mA) u (V) 反向击穿电压 死区 Ge Si 2.? 反向特性 反向截止区：反向饱和电流很小，可视为开路。 反向击穿区：反向电压过高，电流急增，二极管发生击穿。 导通电压 VD 二、半导体二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管允许通过的最大正向平均电流。 2. 最高反向工作电压 URM 保证二极管不被击穿允许加的最大反向电压。 3. 最大反向饱和电流 IR 室温下，二极管加最高反向电压时的反向电流，与温度有关。 例1：如图，当E＝5V时， IV＝5mA，则 E=10V，IV＝（ ） Ａ. Ｉ＝１０mA Ｂ. Ｉ１０mA Ｃ. Ｉ＜１０mA Ｄ. 不确定 E VD IV B 例2：如图，E＝5V，二极管正向压降忽略不计，画出 uo波形。 E VD ui uO 10 ui (V) ωt ui E VD截止 uo =E ui E VD导通 uo = ui 5 uO ωt 5 利用二极管的单向导电性可对输出信 号起限幅作用。 例3：如图，E＝6V，二极管正向压降忽略