光电探测器及其校正技术.pptVIP

光电探测器及其校正技术 主要包括以下内容 1.光电倍增管 2.光电导器件 3.光电池和光电二极管 4.CCD图像传感器 5.热电探测器 6.光电探测器的校正 1 概述 2 光电倍增管 2 光电导器件 4 光电池和光电二极管 5 CCD像传感器的工作原理 6 热电探测器 7 光电探测器的校正 7.2 漫射体及其在光电检测中的应用 ②圆筒形内腔辐射计 它由黑色圆形底板和几个可伸缩重叠的黑色圆环组成。在底部及环形外部装有多个热电偶，构成辐射计。如图4-114所示 图4-114 圆筒形内腔辐射计 ③盒式内腔辐射计 它由长方形盒构成内腔，其典型参数为：盒子尺寸10×20×70mm3，在盒子面积为10×20mm2的一个端面上开9×19mm2的入射孔。底部安排四个热电偶，周围设置84个。响应度82mV／w，时间常数8s。黑色内壁对0.25—2. 5μm波长区域内反射比为3—6％，而盒子入射孔的有效反射比下降到0.1％以下。 ④单片式IRCCD摄像头的性能指标 利用铂硅制成的640×480IRCCD摄像机扫描头的主要参量： 分辨力：640(H)×480(V)； 单元面积：24×24μm2； 致冷：斯特林式； 噪声等效温差：NETD＜0.06K(F数为1的物镜，背景温差300K)； 动态范园：72dB； 饱和信号水平：1.5×106个电子； 噪声水平：300个电子； 最小可探测温差：MRTD＜0.15K(耐魁斯特频率时) 一种320×244铂硅IRCCD的参数为： 噪声等效很差：NETD＜0.04K(F数1.4)； 积分时间：1／30s； 光谱范围：1.0—5.5μm； 动态范围：80dB； 温度响应率：30mV／℃； 探测元面积：23×32μm2。 (3) 混合式IRCCD 混合式IRCCD是用不同的材料分别制作红外探测器阵列和CCD移位寄存器，用阵列连结工艺使之组装在一起。由于当今本征CCD工艺和技术已经发展得相当成熟，因此几乎都用硅CCD作为混合式IRCCD的寄存器。而随着各种红外敏感的探测器制造技术的日趋完善，所以十分注重混合式IRCCD的研制工作。目前高密度镶嵌的红外探测器的集成技术获得了相当满意的成功，使之形成了一个红外焦平面技术的新领域。 制造混合式IRCCD的红外探测阵列材料目前主要是可工作在3—5μm波段内的锑化铟(InSb)，8—14μm的碲锡铅(PbSnTe)、碲镉汞(HgCdTe)和热释电材料等。 (4) 背景抑制 前面提到IRCCD有着“背景辐射强”的特点。由于CCD势阱容量被背景辐射产生的电子填充，这就减少了光生载流子的填充空间，因此需要采用一些特殊的处理方法。在实际应用中，热成像所要探测的常是相邻两个像元之间的温差，而且常常仅探测移动的目标，因此变化较快。而背景通常是固定的或是缓慢变化的。这就可在互连电路中采取交流耦合、背景适应或差动互连等方法，也可在CCD的输入存储势阱中对注入的电荷采取“按比例划分电荷”和“填充和溢出的方式”等背景撤除方法，对背景加以抑制。这样就可使CCD工作在线性区，达到增大动态范围，提高信噪比的目的。 　　图4-94给出了一种抑制背景的交流耦合电路，RL是负载。从探测器上得到的信号通过直流隔离电容C藕合到G1栅上，以控制流入G2栅下势阱中的电荷。 图4-94 抑制背景的交流耦合电路 1. 热敏电阻 半导体具有较大的负电阻温度系数，其电阻率随温度升高而呈指数减小，热敏电阻就利用了这一特性。其典型结构如图4-95所示。热敏电阻的静态伏安特性曲线如图4-96所示。 图4-95 热敏电阻的典型结构 图4-96 热敏电阻的伏安持性曲线 使用时通常将两个性能相同的热敏电阻封装在一个壳内，其中一个外加光屏蔽用作温度补偿，叫作补偿热敏电阻，另一个接收光辐射，叫作受照热敏电阻。常采用桥式电路如图4-97所示。 图4-97 热敏电阻的偏置电路 2. 热电偶 (1) 热电偶的基本工作原理 ①塞贝克效应 当两种不同金属或半导体材料的细丝，按图4-98所示方式联成闭合回路，并使两结点温度不同，如T＞T0，则在该闭合回路中有电流流过，该电流叫作温差电流。与温差电流对应的电动势叫作温差电动势ε12该值的正负由两种材料和冷热结点位置不同而定，并有ε21=－ε12，该电动势的大小随温差的变化关系，可用其微分系数表示,式中， 为塞贝克系数 图4-98 塞贝克效应 ②珀尔帖效应 将两种不同金属或半导体材料的细丝连接，当有电流I12从材料1通过结点流向2时，这时结点变