MBE成長GaAs表面の平坦化とそのAFM観察.pptVIP

* MBE成長GaAs表面の平坦化とそのAFM観察 東大物性研秋山研助手 吉田 正裕 Masahiro Yoshita JST-CREST秋山小川グループ研究会＠大阪大学 (June 29-30, 2006) MBE成長(110)表面の平坦化 原子レベルで 平坦な表面 の形成 アーム 井戸 6nm ステム井戸 14nm 490oCで成長 600oCでアニール （M. Yoshita et al. JJAP 200１） T型量子細線 [001] [110] [110] 成長中断アニール法 Ga 分子線空間分布方向 成長中断アニール表面のGaAs堆積量依存性 GaAs厚(nominal) 6nm (=30 ML) Ga flux分布　1 %/mm 　　　　　　　　 (0.3 ML/mm) アニール 600C, 10 min. M. Yoshita et al. APL 2002 J.-W. Oh et al. APL 2003 (110)GaAs量子井戸構造の顕微発光像 原子平坦 2~3 ML高さ 島構造 1ML深さ ピット構造 n = 30 ML M. Yoshita et al. APL 2002 J.-W. Oh et al. JAP 2004 　へき開再成長(110) ヘテロ界面の平坦化 　　　i)　成長中断アニール法の確立 ii)　平坦化メカニズムの解明 　(001)ヘテロ界面の平坦化 　AlAs、InGaAs系での平坦化法 MBE成長表面平坦化プロジェクト T型量子細線の更なる高品質化 研究目的： 最適なアニール温度を探る。 平坦化メカニズムの解明を試みる。 今回、１．に関して、 (110)表面のアニール基板温度依存性 CEOgrowth(510C) 　+ 10 min. anneling 650C高温アニール 　三角ピット構造形成 　ラフニング T= 591 C 615 C 627 C 649 C 堆積量 偏差 6 nm (110) GaAs 5um x 5um 40um x 40um アニール温度上昇により平坦化が促進 島構造の減少 ピット構造拡大 しかし、 結果： GaAs へき開(110)面 　no MBE growth 　10 min. annealing at 649 C GaAsへき開(110)面の高温アニール 三角形ピット構造の形成 650C高温アニール時の 成長表面からのGa原子desorption 三角形ピット構造のサイズ分布 620~630Cにしきい値 高温でサイズの増大 アニール温度は620-630C付近が最適 5mmx5mm 2ML深さ @ 649C 三角ピット構造形成 CEOgrowth(510C) 　+ 10 min. anneling at 650C 6 nm (110) GaAs ステップエッジ近傍での表面構造 50um x 50um ステップエッジ近傍では、形成される表面構造が変化。 平坦化過程でのエッジとの相互作用 表面原子の拡散距離　~ 20um coverage deviation : 5 ML/mm ステップエッジ方位依存性 i) ステップ周期 200 um/ML ＞表面拡散長 局所的な表面構造には差が見えない。 ~20 um 100nm GaAs on (110) edge 10 min. annealing at 650C 結晶方位に依存した特徴のある規則的なステップエッジが形成 ステップエッジ方位依存性２ ii) ステップ周期 ＜表面原子拡散長 100nm GaAs on (110) edge 10 min. annealing at 650C (110) sub. まとめ へき開再成長(110)GaAs表面における成長中断アニール表面モフォロジーのアニール温度依存性を観察。 １）　高温アニールにより表面平坦化の促進。島?ピット構造の大きさの減少。 ２）　650C高温アニールでは、多数の2ML深ピット構造の形成。表面ラフニ　　　ング表面からのGa原子のdesorption ３）　アニール温度620-630Cが平坦表面形成においてもっとも有効。 (110)面アニール平坦化過程でのステップエッジ効果 １）　ステップエッジ周期が表面原子の拡散距離より小さい場合、ステップ　　　結晶方向に依存した規則的なステップエッジ形成 透過吸収測定による量子細線?量子細線レーザーのキャリアダイナミクス解明 時間分解透過計測系 ＰＣＦによるcontinuum光を用いた透過測定 ＡＲコーティング 励起子分子の２光子発光（直交配置測定） 計測?プロセス技術 ポンププローブ法による吸収?ゲイン形