上海大学公开邀请招标购置场效应管综合参数测试仪的公.docVIP

上海大学公开邀请招标购置 “场效应管综合参数测试仪”的公告 招标编号：SDSB-13072 根据《中华人民共和国政府采购法》《上海市政府采购招标暂行办法》和《上海大学仪器 设备招、投标管理办法》，上海大学理学院、综合物理实验中心因教学、科研发展需要，现公 开邀请招标采购场效应管综合参数测试仪。 设备需求 1. 设备名称：场效应管综合参数测试仪。 2. 技术要求： 场效应管综合参数测试仪由计算机操控，测试数据可存储打印。除具有点测试功能外，还具有曲线扫描功能（图示仪功能）。 2.1、可测试参数 二极管：VF、IR、BVR；稳压（齐纳）二极管：?VF、IR、BV Z；晶体管??Transistor（NPN型/PNP型）：VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT?、VBEON；可控硅整流器（晶闸管）：IGT、VGT、 IH、IL 、VTM；场效应管：?IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS； 光电耦合器：VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT；三端稳压器：VO、SV、ID、ID 2.2、测试范围： 2.2.1晶体管 测试参数 测试范围 ICEO ICBO IEBO 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA VCE(sat) VBE(sat) 0.10V-30V VBE(VBE(on)) 0.10V-30V hFE 1－99999 V(BR)EBO 0.10V-30V V(BR)CEO V(BR)CBO 10V-50V 50V-1499V 2.2.2、二极管 测试参数 测试范围 IR 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA VF 0.10V-30V V(BR) 1V-50V 50V-1499V 2.2.3、稳压二极管 测试参数 测试范围 IR 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA VF 0.10V-30V VZ 0.10V-50V *2.2.4、三端稳压器 测试参数 测试范围 VO 0.10V-30V SV 0.10mV-1V ID 1uA-10mA IDV 1uA-10mA 2.2.5、MOSFET 测试参数 测试范围 VGS(th) 0.10V-30V gfs 0.1mS-1000S RDS(on) 10mΩ-100KΩ VDS(on) 0.10V-50V IGSS 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA IDSS 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA *ID(on) 0-50A V(BR)GSS 0.1V-30V V(BR)DSS 0.1V-1499V 2.2.6、光耦 测试参数 测试范围 VF 0.10V-30V IR 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA VCE(sat) 0.10V-50V CTR 0.1%-1000% ICEO 与IR参数相同 V(BR)ECO V(BR)CEO 0.10V-50V 50V-1499V 2.2.7、可控硅 测试参数 测试范围 IGT 10uA-200mA VGT 0.10V-30V IH 10uA-1A IL 10uA-1A VTM 0.10V-50V 2.3技术指标 2.3.1、源的指标 、主极压流源 (VA) 1）电压： 设定范围（V） 精确度 ±(0~10) ±(14.6mV+0.5%set) ±(10~50) ±(73.2mV+0.5%set) *2）电流： 测量范围 精确度 ±(0-50)uA ±(244nA+0.5% set) ±(50-500) uA ±(2.44uA+0.5% set) ±(0.5-5) mA ±(24.4uA+0.5% set) ±(5-50) mA ±(244uA+0.5% set) ±(50~500) mA ±(2.44mA+0.5%set) ±(0.5~5)A（脉冲） ±(24.4mA+0.5%set) ±(5-50)A（脉冲） ±(244mA+0.5%set) 、压流源 (VB) 1）电压： 设定范围（V） 精确度 ±(0~10) ±(14.6mV+0.5%set) ±(10~30) ±(43.8mV+0.5%set) 2）电流： 测量范围 精确度