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高阻隔薄膜的制备技术 　　【摘 要】本文介绍了包装领域中阻隔薄膜的几种基本的制备技术，并对其技术原理和技术特点做了简要的概述，重点介绍普通包装薄膜表面沉积纳米SiOx作为阻隔材料的优越性和制备方法。纳米氧化硅薄膜制备包括：物理气相沉积，化学气相沉积两种。物理气相沉积技术较成熟，已广泛用于当今的众多薄膜生产厂家；化学气相沉积技术由于沉积速率慢，生产成本高，耗资大，限制了工业化应用。本文还介绍了一种能够克服上述限制因素的新技术，从而使薄膜的阻隔性能大大提高。 　　【关键词】纳米氧化硅薄膜 阻隔性能 物理气相沉积 化学气相沉积 　　引言 　　社会发展表现在不仅对普通包装材料数量上的增加，对优质保质保鲜包装材料品种和质量的需求也在日益增加。如在食品和医药包装领域中，包装材料的阻水阻气要求越来越高。高阻隔包装材料通常指对气液渗透物具有高阻尼作用的材料，即防止氧的侵入以免商品氧化变质，防止水或水蒸气的渗透以免商品受潮霉变，防止香气、香味和二氧化碳外逸，以免商品变味和变质等。目前阻隔性包装材料已经成为包装材料的发展趋势，并广泛用于各种应用领域，如电子显示领域的OLED[1]。 　　1 阻隔材料的发展历程及趋势 　　阻隔包装材料的发展历程可分为三个阶段：第一代包装材料如PE、PP、PET、PVDC、PVC等。因其阻隔性达不到要求（见表1），使用越来越少。采用高聚物（比如PEN）可以解决阻隔性和用金属探测器检查问题，但是成本太高，并且难于循环利用。采用复合膜结构，如三层复合膜PA/黏合剂/PE、五层复合膜LDPE/粘合剂/EVOH/黏合剂/LDPE等，阻隔性能大大提高，但工艺复杂、回收困难、污染环境和成本高，应用也受到限制。第二代现代包装材料采用蒸镀铝箔/薄膜镀铝作为阻隔层，工艺简单，对空气、水分阻隔性高。但镀铝薄膜存在的问题是不透明，不适宜用于微波加工，不能用金属探测器检查，消耗资源和能源量大，无法回收，造成环境污染等。20世纪80年代末，在西方发达国家出现了对薄膜表面沉积纳米SiOx阻隔层的第三代现代包装材料研究[4]。新一代阻隔膜的技术表现出阻隔性高、 节省资源、成本低等优点。如沉积二氧化硅的PET用于啤酒、果汁等软饮料的包装中，对氧气、二氧化碳、水气和风味等的阻隔性良好，满足了其所需的包装要求。但是采用二氧化硅涂层的PET表面薄膜略带颜色，特别是柔韧性不好，与其它薄膜复合时容易出现裂纹，这影响其应用范围。 　　高阻隔薄膜发展除了满足包装材料的基本的要求外，其绿色环保、节省能源、可回收利用等也是现代包装材料的基本要求。其发展趋势包括如下两点[5]。 　　（1）新型高阻隔性能的塑料研制开发，如PVDC、EVOH等。日本可乐丽公司开发出一种新型复合膜为基材，以OPP复合一种特殊的乙烯-乙烯醇共聚物。具有EVAL和OPP两者的性能，包括透气性好、透明度高、加工容易、焚化时不产生有害气体。美国SuperexPolymer公司成功地开发了一种多层复合的食品包装材料-液晶聚合物（LCP）。其阻隔性能比EVOH高出8倍，而生产成本却比EVOH低至少20%。 　　（2）是对现有的塑料包装材料进行改性。用喷涂金属氧化物的方法为塑料薄膜提供了高阻隔的特性。如将高纯度SiO2喷涂到塑料薄膜表面，沉积厚度为80nm-100nm。这种材料就具有接近玻璃的阻隔性，而且透明、耐蒸煮、隔氧性能比聚酯膜高120倍，隔水性高45倍。 　　采用纳米SiOx作为阻隔层是高阻隔包装的发展趋势。日本、美国、欧洲等发达国家已经开发了系列SiOx复合薄膜产品包装，取代了铝塑复合包装材料，获得了满意的包装有效期和消费者的好评 [2]。专家预测，未来10年，氧化硅（SiOx）涂塑包装材料将成为新一代阻隔包装材料[3]。目前高阻隔材料制备主要是对聚酯薄膜表面进行氧化硅改性，即采用不同技术在其表面涂覆一层无机氧化硅材料，所用的涂覆技术主要有：物理方法，如电子束蒸镀、磁控溅射沉积、热蒸发和Sol-gol法，和等离子体增强化学气相沉积技术。在等离子体化学气相沉积时，采用不同的等离子体源，对薄膜的性能影响很大，特别是对薄膜的透明性有很大影响。 　　2 氧化硅薄膜的制备技术概述 　　2.1 物理气相沉积 　　物理气相沉积法可分为蒸镀法、溅射法和涂敷法。其中电阻式蒸发源以电阻丝加热，温度可达1700℃，蒸发氧化硅；电子枪蒸发，是通过电子束高能量，达20kW/cm2，温度更可达3000℃-6000℃把氧化硅加热；氧化硅物理气相沉积原材料通常以SiO或SiO2，或SiO和SiO2以一定的比例混合作为。 　　而溅射法制备氧化硅，是采用磁控溅射技术把氧化硅靶溅射起来，再进行沉积。磁控溅射就是通过离子轰击靶材后，产生的溅射粒子沉积在基材表面的工艺过程。与蒸发法相比，此镀膜层与基