精选课件第五章 物理气相淀积(上).ppt

第五章 物理气相淀积 内容 概述 真空技术 蒸发 溅射 薄膜淀积机理 概述 形成薄膜技术：薄膜生长技术、薄膜淀积技术 薄膜生长技术：专指衬底材料也是形成薄膜的元素之一，（如硅的热氧化生长二氧化硅） 薄膜淀积技术：薄膜形成过程中不消耗晶片或衬底材料， 薄膜淀积技术一般可分为两类： 化学气相淀积（CVD）：利用化学反应生成所需的薄膜材料，常用于各种介质材料和半导体材料的淀积，如二氧化硅、多晶硅、氮化硅等，但是随着CVD技术的发展，其应用范围逐渐扩大。 物理气相淀积（PVD）：利用物理机制制备所需薄膜材料，常用于金属薄膜的制备淀积，包括蒸发和溅射等。 真空知识 微电子工艺中所用的真空技术： 气体分子的质量输运机制：低压CVD 等离子体产生机制：溅射、等离子体增强CVD、反应离子刻蚀 无污染的加工环境：蒸发、分子束外延 气体分子的长程输运：离子注入 真空基础知识 真空：低于一个大气压的气体空间，和正常的大气相比是比较稀薄的气体状态。 标准大气压：在温度为20℃，相对湿度为60％时的大气压强，1 atm＝ 101325Pa＝1013.25mbar＝760torr， 压强单位： 帕斯卡(Pa)：国际单位制压强单位，1Pa=1N/m2 标准大气压（atm）：1 atm＝ 101325Pa 乇(Torr)： 1torr＝ 1 /760atm＝ 1mmHg 毫巴(mbar)：1mbar=102Pa 蒸发工艺 在半导体制造的早期，所有金属层都是通过蒸发方法淀积的。为了获得更好的台阶覆盖、间隙填充和溅射速度，在70年代后期，在大多数硅片制造技术领域溅射已取代蒸发。 原理：在真空室中加热蒸发容器（坩锅）中待蒸发的原材料，使其原子和分子从表面气化溢出，形成蒸气流，入射到固体（称为衬底或基片）表面，凝结形成固态薄膜的方法，也称热蒸发法。 分类：该法的改进主要在蒸发源上，主要有电阻式蒸发、高频感应式蒸发和电子束蒸发。 特点：设备简单、操作容易，制成的薄膜纯度高、质量好，成模速率快、效率高，薄膜生长机理单纯。 缺点：不容易获得结晶结构薄膜、薄膜和基板的附着力小、工艺重复性不好，不能产生台阶覆盖；性能上不能形成具有深宽比大于1.0:1的连续薄膜；还有对淀积合金的限制。 常用蒸发系统 分类：主要有电阻式蒸发、高频感应式蒸发和电子束蒸发 电阻式蒸发源的形状： 根据蒸发材料的性质，结合考虑蒸发源材料的润湿性，选择蒸发源形状。 电子束式蒸发 随着薄膜技术的广泛应用，电阻式蒸发不能满足蒸镀某些难熔金属和氧化物材料的要求，特别是制膜纯度很高的需求，于是发展了电子束蒸发。 过程：将蒸发材料放入水冷的铜坩锅中，直接利用电子束加热，使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面成膜，是真空蒸发镀膜技术的发展方向。 原理：基于电子在电场作用下，获得动能轰击到处于阳极的蒸发材料上，使蒸发材料加热气化，而实现蒸发镀膜。 电子束蒸发 电子束蒸发优点： 电子束轰击热源的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密度，因此可以使高熔点蒸发材料蒸发，并且能有较高的蒸发速率。如蒸发W、Mo、Ge、SiO2、Al2O3等。 由于被蒸发材料置于水冷坩锅内，因而可避免容器材料蒸发，以及容器材料和蒸发材料之间的反应，提高纯度。 热量可直接加到蒸镀材料的表面，因而热效率高，热传导和热辐射的损失少 电子束蒸发的缺点： 电子枪发出的一次电子和蒸发材料发出的二次电子会使蒸发原子和残余气体分子电离，有时会影响膜层质量。 电子枪的结构复杂，设备价格较贵 当加速电压过高时所产生的软X射线对人体有一定的伤害，应予以注意。 高频感应蒸发源 原理：将装有蒸发材料的坩锅放在高频螺旋线圈的中央，使蒸发材料在高频磁场的感应下产生强大的涡流损失和磁滞损失（对铁磁体），致使蒸发材料升温，直至气化。蒸发源一般由水冷高频线圈和石墨或陶瓷坩锅组成。 合金材料和多组分材料的淀积 当合金材料的饱和蒸气压相近时，一般采用单源蒸发； 当合金材料的饱和蒸气压不同时，采用多源同时或多源依次蒸发。 蒸发多组分薄膜的方法 化合物蒸发法 方法：电阻式蒸发、反应蒸发法、双源或多源蒸发－三温度法和分子束外延法 蒸发工艺的局限性 淀积薄膜的速率限制：高速率与均匀性的矛盾 淀积薄膜材料纯度的限制 淀积薄膜台阶覆盖性的限制 电阻式蒸发原理：采用钽、钼、钨等高熔点金属，做成适当形状的蒸发源，其上装入待蒸发材料，让电流通过，对材料进行直接加热蒸发，或者把蒸发材料放入陶瓷或氧化铍坩锅中进行直接加热。 由于电阻式加热蒸发源结构简单，价廉易作，是一种普遍的蒸发源。 对蒸发源材料要求 熔点高：由于蒸发材料的蒸发温度（饱和蒸气压为10－2乇时的温度） 饱和蒸气压低：防止或减少在高温下蒸发源材料