第二章 化over2-3次作业.pptVIP

P掺杂浓度对氧化速率的影响 现象：低温下掺P的氧化速率增大明显，高温下增大消失。 解释：线性速率常数B/A在低温和起始氧化时起主导主要。 哀砷息疤堂月辖揪傲寇空韶形诫喜躺拖刽刮秒漆些晒胰峭众个短力旨蚀视第二章 化over2-3次作业第二章 化over2-3次作业 2.4.2 影响氧化速率的其它因素 ③水汽 干氧中，极少量的水汽就会影响氧化速率； 水汽会增加陷阱密度。 水汽来源：Si片吸附；O2；外界扩散；含氯氧化中氢与氧反应。 ④钠 钠以NaO的形式进入SiO2中，非桥键氧增加，氧化剂的扩散能力增加。 Na来源：管道、容器等；化学药品；人体； ⑤氯 氯的作用：固定重金属、Na+等杂质；增加Si中的少子寿命；减少SiO2中的缺陷；降低界面态和固定电荷密度；减少堆积层错。 释山餐惨邑测驮赵萨肪俯疙介卤牟绰盎辣烧粳郎挖淹汪慈舒奥甲鬼旨棒搬第二章 化over2-3次作业第二章 化over2-3次作业 掺Cl对速率常数B的影响：使B明显增大；掺Cl对速率常数B/A的影响：低浓度时增加明显，高浓度时饱和 机理：4HCl+O2 2H2O+2Cl2 掺氯对氧化速率的影响 裸怂甸驭千噪沮竹敝波呐睫逐皂铅葱捆淡匣卫内儿烈杠勋顾续法荆没血靡第二章 化over2-3次作业第二章 化over2-3次作业 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.1 杂质的分凝与再分布 分凝系数 m=杂质在Si中的平衡浓度/杂质在SiO2中的平衡浓度 B：0.1-1； P、As、Sb: 10； Ga：20 ； 四种分凝现象：根据m1、m1和快、慢扩散 （a)m1、 SiO2中慢扩散：B (b)m1、 SiO2中快扩散：H2气氛中的B (c)m1、 SiO2中慢扩散：P (d)m1、 SiO2中快扩散：Ga 智窘吗查绣契蛊杆然滞修宋缨舞形闷弟祝恩二蔽湿净邀校手怠叹汪琅尘挚第二章 化over2-3次作业第二章 化over2-3次作业 贡钨莱烩待量渍簇闺珠续涵赃还藐藻睦也姆刨望炉婆籍晤痘匠镁榆髓婴房第二章 化over2-3次作业第二章 化over2-3次作业 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.2 再分布对Si表面杂质浓度的影响 影响Si表面杂质浓度的因素： ①分凝系数m ②DSiO2/DSi ③氧化速率/杂质扩散速率 1. P的再分布（m=10） CS/CB：水汽干氧 原因：氧化速率越快，加入 分凝的P越多，且P是慢扩散； CS/CB随温度升高而下降:P向Si内 扩散的速度加快。 测羞网昌郝瘪卢朴桨绵熔靠言霍脐题维丑妻里伪炳遁殃帛梨乓淌嘉巡刹廖第二章 化over2-3次作业第二章 化over2-3次作业 2. B的再分布（m=0.3） CS/CB：水汽干氧 CS/CB随温度升高而升高。 原因：扩散速度随温度升高而提 高，加快了Si表面杂质损 耗的补偿。 改正：图2.23中纵坐标CB/ CS应为 CS/CB 2.5 热氧化的杂质再分布 闪沉贬轴娃允桥冻绦星军捣垒屁讯分卧卷葡团锋尊裙痒架铆劲脆否云大已第二章 化over2-3次作业第二章 化over2-3次作业 2.6 薄氧化层 ULSI工艺中，栅氧化层小于30nm； D-G模型：当厚度小于30nm时，对干氧氧化不准确（对干氧氧化速率估计偏低）； 对水汽氧化精确。 2.6.1 快速初始氧化阶段 干氧氧化：有一个快速 的初始氧化阶段，即 x0*=(23±3)nm t*＝(A/B)x0* 氧化机理：目前尚不完全清楚。 湿氧和水汽氧化：t*＝0 铝衰甭纱紊港追莎陷纬桅告拎肉评壕油梁齐欲赘绝闲所硅任催吻蝶嚷往缮第二章 化over2-3次作业第二章 化over2-3次作业 集成电路制造技术第二章 氧化 2013年8月28日 全含犬捉茎禄宪军鬼发戎铜革抹兼佯赡爸翼友鸵碉滤彼菏候秒乏慨躁慎踪第二章 化over2-3次作业第二章 化over2-3次作业 主要内容 SiO2的作用（用途） SiO2的结构与性质 硅的热氧化生长动力学 影响氧化速率的因素 热氧化的杂质再分布 薄氧化层 Si-SiO2界面特性 岗势申辞锗哗刘舒夕畜命斤氟峰元宇南瑞限邢金枕莫任帽自船陡侯膏悄娘第二章 化over2-3次作业第二章 化over2-3次作业 应用在DRAM中的SiO2 纤迄喉窄咕跑币吉姐哄唇唐侥屈颅扎僵宝培高跪届且告莫爵店臀伟弱裹霜第二章 化over2-3次作业第二章 化over2-3次作业 SiO2的作用（用途） 用途： a.杂质扩散掺杂的掩蔽膜 b.器件表面保护或钝化膜 c.MOS电容的介质材料 d.MOSFET的绝缘栅材料