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- 2017-02-01 发布于北京
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快熔的选择标准
电力半导体器件热容量小,在故障状态下必须要有快速保护。而快速熔断器(以下简称快熔)具有与半导体器件类似的热特性,是一种最好的保护器件。本文涉及的是封闭式有填料限流式快熔,在运行中没有外部现象。
我国快熔的发展历史可分为四个阶段,第一代是六十年代全国联合设计的RSO、RS3系列,参数为480A、750V及以下,分断能力50kA,是一种体积较大、价格低廉、电寿命短的初级产品,目前尚有相当装机量。第二代是八十年代参考日本富士电机七十年代典型产品CS8F-1400-C而开发的RSF系列。当年该产品典型规格如1600A、1400A,满足了与ZP1000硅整流管的匹配和分断100kA故障电流的要求,成为大型变流装置的主要保护元件。该产品主要采用了园孔状熔体技术。第三代是九十年代初引进欧洲著名公司产品及相应续延技术研制的快熔。其特点是采用在石英砂填料中添加钠盐的技术,使每电弧栅分断电压从AC150V提高到AC200V。但其缺点是分断后的绝缘电阻在多数情况下不易形成,甚至造成断电后仍然有漏电现象,这是一种初级的加盐产品。第四代是九十年代末为了克服分断后漏电、重燃问题以及配合大功率电力半导器件的发展,要求更进一步提高分断能力,降低I2t等性能,经过对基础材料、基本制造技术的研究,在填料中增加了特制钾盐、钠盐等灭弧材料,使快熔总体水平有了大幅度提高,达到了每电弧栅分断AC25
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