磁控溅射镀膜技术1浅析.pptVIP

1、溅射镀膜技术是真空镀膜技术中应用最广的正在不断发展的技术之一 2、发展概况（1） 1842年Grove发现阴极溅射现象 1877年将二极溅射技术用于镀制反射镜。 二十世纪三十年代采用二极溅射技术镀制金膜作为导电底层 以后出现射频溅射、三极溅射和磁控溅射。 2、发展概况（2） 1936年和1940年Penning相继发明圆柱和圆筒磁控溅射阴极。-- Penning放电、 Penning规、Penning离子源相继出现 1963年美国贝尔实验室采用10米的连续溅射镀膜装置镀制集成电路的鉭膜，首次实现溅射镀膜产业化。 1970年圆柱磁控溅射阴极获得工业应用 2、发展概况（3） 1980年前后,提出脉冲单靶磁控溅射、中频单靶磁控溅射，发展为中频双靶磁控溅射。 双靶磁控溅射（Dual Magnetron Sputtering）的方法的最早专利是Kirchhoff 等1986年申请的 工业上，德国Leybold的孪生靶（TwinMag?）系统是其典型代表,已于1994年正式投入生产。 2、发展概况（4） 1986年Window发明了非平衡溅射（Closed-fied unbalanced magnetron spattering, CFUMS),有广阔的应用前景 3、国内发展情况 1982年以后，范毓殿、王怡德及李云奇等先后发表了有关平面磁控溅射靶设计方面的论文报告 1