实现隔离式半桥栅极驱动器.docVIP

实现隔离式半桥 意的是，两个光耦合器即使封装在一起，也是是独立制造的， 从而限制了匹配两个通道的能力。这种失配会增加关闭一个通 道与打开另一个通道之间的停滞时间，从而导致效率下降。 栅极驱动器 作者：Brian Kennedy 许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率，从要 求高功率密度和效率的隔离式 DC-DC 电源模块，到高隔离电 压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本 文将详细阐述这些设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半 桥栅极驱动器 IC 在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器（如图 1 所示）以极性相 反的信号来驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET（或 IGBT）的栅 极，由此来控制输出功率。驱动器必须具备低输出阻抗以减少 传导损耗，同时还须具有快速开关能力以减少开关损耗。出于 精度和效率的考虑，高端和低端驱动器需要具备高度匹配的时 序特性，以便减少在半桥的第一个开关关闭，第二个开关开启 前的停滞时间。 图 2. 双光耦合器半桥栅极驱动器 光耦合器的响应速度受到原边发光二极管(LED)电容的限制， 而且将输出驱动至高达 1 MHz 的速度也会受到其传播延迟（最 大值为 500 ns）以及较慢的上升和下降时间（最大值为 100 ns） 的限制。要使光耦合器接近最高速度，需要将 LED 电流增加 至 10 mA 以上，这会消耗更多功率，缩短光耦合器的寿命并降 低其可靠性，尤其是在太阳能逆变器和电源应用中常见的高温 环境下。 脉冲变压器栅极驱动器 接下来，我们来看看通过变压器耦合实现电流隔离的电路。 这些电路的传播延迟较低、时序特性更精确，与光耦合器相 比，具有速度优势。在图 3 中，采用的是一个脉冲变压器， 其工作速度可以达到半桥栅极驱动器应用通常所需的水平 图 1. 高压半桥栅极驱动器 （最高 1 MHz）。栅极驱动器 IC 可用于提供容性 MOSFET 栅 如图所示，这种功能的一种常规实现方式是用一个光耦合器进 极充电所需的高电流。在此，栅极驱动器以差分方式驱动脉冲 行隔离，其后用一个高压栅极驱动器 IC。这种电路的一个潜在 变压器的原边，两个副边绕组驱动半桥的各个栅极。在这种应 不足，就是单隔离输入通道依赖高压驱动器电路来实现所需要 用中，脉冲变压器具有显著优势，不需要用隔离式电源来驱动 的通道间时序匹配和停滞时间。另一问题是，高压栅极驱动器 副边 MOSFET。 并无电流隔离，而是依赖 IC 的结隔离来分离高端驱动电压和 低端驱动电压。在低端开关事件中，电路中的寄生电感可能导 致输出电压 VS 降至地电压以下。发生这种情况时，高端驱动 器可能发生闩锁，并永久性损坏。 光耦合器栅极驱动器 另一种方法（如图 2 所示）利用两个光耦合器和两个栅极驱动 器来实现输出之间的电流隔离，从而避免了高端-低端交互作 用的问题。栅极驱动器电路往往置于与光耦合器相同的封装 中，因而一般需要两个独立的光耦合器栅极驱动器 IC 来构成 完整的隔离式半桥，结果使解决方案的物理尺寸变大。另需注 图 3. 脉冲变压器半桥栅极驱动器 Analog Dialogue 46-11 Back Burner, November (2012) /analogdialogue 1  然而，当感应线圈中流动的较大瞬态栅极驱动电流导致振铃 与光耦合器设计不同，高端和低端数字隔离器以单个集成电路 时，就可能出现问题。结果可能使栅极不合需要地开启和关闭， 为基础制造而成，其输出天生匹配，具有更高的效率。请注意， 从而损坏 MOSFET。脉冲变压器的另一个局限在于，它们在要 图1所示高压栅极驱动器集成电路会增加电平转换电路中的传 求信号占空比在 50%以上的应用中可能表现欠佳。这是由于脉 播延迟，因而不能像数字隔离器一样实现通道间时序特性的匹 冲变压器只能提供交流信号，而且铁芯磁通量必须每半个周期 配。另外，在单个 IC 封装中同时集成栅极驱动器和隔离机制 复位一次以维持伏秒平衡。最后一点不足：脉冲变压器的磁芯 可以最大限度地减小解决方案的尺寸。 和隔离式绕组需要相对较大的封装，再加上驱动器 IC 和其他 分立式元件，最终形成的解决方案可能尺寸过大，无法适应许 共模瞬变抗扰度 多高密度应用。 在针对高压电源的许多半桥栅极驱动器应用中，开关元件中可 数字隔离器栅极驱动器 能发生极快的瞬变。在这些应用中，在隔离栅上发生容性耦合 的、快速变化的瞬态电压（高 dV/dt）可能在隔离栅上造成逻 现在，我们来看看把数字隔离器用在隔离式半桥栅极驱动器中 辑瞬变错误。在隔离式半桥驱动器应用中，这种情况可能在交 的情况。图 4 中的数字隔离器使用标准 CMOS 集成电路工艺， 叉传导过程中同时打开两个开关，因